发射极
- “SE+PERC”单晶硅太阳电池发射极方阻均匀性提升工艺的研究
近年来，选择性发射极(SE)技术与钝化发射极背接触(PERC)技术相结合形成的“SE+PERC”晶体硅太阳电池取代了采用传统铝背场(Al-BSF)的晶体硅太阳电池，成为晶体硅太阳电池的主流产品[1-3]。行业内“SE+PERC”单晶硅太阳电池的大致制备流程为：清洗制绒→扩散→激光掺杂→去磷硅玻璃(PSG)→碱刻蚀→背钝化→镀正面减反射膜→丝网印刷→烧结等[4]。其中，扩散工序作为最关键的步骤之一，主要是为了制备p-n 结，该工序一般以液态三氯氧磷(POCl
太阳能 2023年10期2023-11-03
- 单节热离子燃料元件燃料质量迁移及其对元件性能影响
温下燃料芯块与发射极接触产生较强的机械相互作用,使发射极产生蠕变,可能导致发射极与接收极接触造成短路,威胁单节热离子燃料元件的正常运行。国内外针对单节热离子燃料元件行为特性开展了大量研究。俄罗斯及苏联开展了大量电加热和核加热地面实验[2-3],得到了一系列燃料芯块高温蠕变和热离子转换性能数据。在大量的试验数据及设计工作经验支持下,鲁奇研究所开发了单节热离子燃料元件性能分析程序KATET[4],该程序考虑了单节热离子燃料元件的传热、变形和热电转换行为,主要关
原子能科学技术 2023年8期2023-08-29
- n型IBC太阳电池选择性发射极工艺研究
太阳电池的p型发射极通常采用高温硼扩散的方式制备[12]，虽然其制备工艺成熟，但是整个发射极区域具有相同的表面掺杂浓度和方块电阻，较低的表面掺杂浓度能够获得提升电池的短路电流，但是会影响电池的开路电压；反之会改善电池的欧姆接触，降低电池的串联电阻，提高电池的填充因子，但限制了电池开路电压的提升。因此，发射极的掺杂浓度对IBC电池短路电流和开路电压的影响是对立矛盾的。为了最大化提升IBC电池的光电转换效率，本文提出了一种应用选择性发射极的IBC太阳电池结构，
人工晶体学报 2022年11期2022-12-10
- 国际热核实验反应堆装置电子回旋辐射诊断强度绝对标定系统的热源设计与仿真
SiC材料作为发射极的材料。Ouroua[5]在最初热源设计的基础上，对ITER ECE诊断的强度绝对标定系统进行分析和测试，解决了校准源的要求及其约束条件。杨永[7]介绍了电子回旋共振发热的加热方法以及内部核心部件回旋管存在的问题，提出了异常诊断在电子回旋共振加热控制系统中存在的问题，主要阐述了ECRH系统中央控制器异常诊断的逻辑设计。潘晓明[8]介绍了托卡马克上电子回旋辐射测量诊断的发展和相关实验，并对其进行了实验分析，经等离子体环境运行与物理实验检测
科学技术与工程 2022年16期2022-07-11
- 基于电晕放电的离子风推进装置推力性能
电压，当施加在发射极的电压超过临界值时，在电极之间会产生电晕放电，随后放电产生的等离子体在电场作用下向收集极运动并与空气中的中性粒子相互碰撞，在空气介质中形成宏观流动和推力。由于装置中的气体流动主要由电离过程产生的离子驱动形成，所以通常被称为“离子风”，在有的文献中也称之为“电流体效应”。离子风推进装置的优势在于电极结构简单、无运动部件、不需要携带推进剂。因此，这种装置在航空推进领域具有广阔的应用前景。对离子风和电流体效应的研究已有很长时间的历史[4-5]
南昌大学学报（理科版） 2022年2期2022-07-04
- 计及热阻与发射极电感匹配的并联IGBT芯片稳态结温均衡方法
翔计及热阻与发射极电感匹配的并联IGBT芯片稳态结温均衡方法范迦羽1郑飞麟1王耀华2李学宝1崔 翔1（1. 新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学）北京 102206 2. 先进输电技术国家重点实验室（全球能源互联网研究院有限公司）北京 102209）在大量芯片并联的IGBT器件内部，热阻和发射极寄生电感是决定芯片稳态结温分布的关键参数。因此，合理设计芯片并联支路的热阻和发射极寄生电感，对均衡并联芯片的稳态结温非常重要。为此，该文首先建立两IGBT并
电工技术学报 2022年12期2022-06-25
- 民用航空气象设备执照问题解析
B.不一定是发射极 C.集电极D.发射极(C)晶体管有三种工作状态：放大、饱和和截止。以NPN型三极管为例，截止状态为当加在三极管发射结的电压VBE小于PN结的导通电压，这时基极电流等于零，集电极电流、发射极电流均为零，三极管失去了对电流的放大作用，集电极和发射极之间处于断开状态，称三极管处于截止状态。放大状态为当加在三极管发射结的电压VBE大于PN结的导通电压，并处于某一合适的值时，三极管的发射结正偏，集电结反偏，基极电流控制集电极电流，使三极管产生电
黑龙江科学 2022年8期2022-04-28
- a-Si:H（p）/c-Si（n）异质结太阳电池的模拟优化
晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及透明导电氧化物（Transparent Conductive Oxide，TCO）薄膜功函数对电池输出性能的影响，为后续硅异质结电池的研发和生产提供科学依据。1 电池结构及参数设置本文模拟所用材料参数的初始值见表1。表1 模拟中所用材料主要参数的初始值Table 1 Initial value key parameters for simulated structure模拟的光照条件为AM1.5，100 mW/cm2。模拟的
可再生能源 2022年3期2022-03-21
- 晶体硅太阳能电池的前电极结构设计及应用
极自身电阻及与发射极之间的接触电阻会导致在收集电流和传导电流时造成电池发电功率损失[7～9]。目前，主流的前电极结构是类“H型”电极，即由副栅电极(finger)和与之垂直的主栅电极(busbar)构成[10～13]。在设计前电极结构时主要考虑两方面因素，一是前电极的面积；二是电极的导电能力。在实际应用中，提高前电极的总面积有利于提高对光生电流的收集并减小电流损失，但另一方面却会带来较高的遮光损失；反之亦然。正因遮光损失与电阻损失相互制约，在设计太阳能电池
河北科技师范学院学报 2021年3期2022-01-14
- TOPCon-n-PERT太阳电池结构关键参数 对其电性能影响的研究
主流的采用钝化发射极背接触(PERC)技术的p型太阳电池而言，采用发射极钝化全背场扩散(PERT)、 隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)、异质结(HIT)或叉指状背接触(IBC)等技术的n型太阳电池提升光电转换效率的空间更大[1]。TOPCon技术作为前沿的太阳电池技术之一，不但能实现与HIT结构相当的表面钝化效果，而且还可以与高温工艺相兼容，同时也避免了电极接触处引起的高复合问题[2]，目前针对TOPCon技术的研究主要是基于n型PERT太阳电池[3]。
太阳能 2021年10期2021-11-03
- 硅异质结太阳电池中钝化层和发射层的优化设计*
p 型双层复合发射极.实验结果表明,双层钝化层具有更加稳定与优异的钝化效果,钝化样品的少子寿命达到4.197 ms,隐含开路电压(implied-VOC,iVOC)达到726 mV.同时双层复合发射层中,轻掺杂的掺杂层可以减弱掺杂剂向本征钝化层的扩散,保证良好的钝化效果,而重掺杂的掺杂层不仅能够提供足够的内建电场,而且可以改善掺杂层与氧化铟锡薄膜的接触特性,进而提升电池的输出特性.并且高氢稀释比的前掺杂层还可以对钝化层起到氢处理的作用,减少钝化层表面的悬挂
物理学报 2021年18期2021-10-08
- 车载转向灯模组三极管烧毁分析
三极管Q1A的发射极E1键合引线断裂，如图3所示。图3 失效Q1 三极管X-ray 透视照片1.3 开封观察分析将失效Q1三极管用化学腐蚀方法打开树脂封装，露出里面的硅芯片。可见两个三极管的发射极焊盘都发生了烧毁，其中Q1A三极管的发射极焊盘熔融形成一个凹坑，键合线材料四溅飞射；Q1B三极管发射极烧毁轻微，键合线材料熔融后向旁边流散。失效Q1两个三极管的发射极呈现严重的过流烧毁形貌，但其基极键合未发现异常，如图4所示。图4 失效Q1 三极管开封后的形貌2
电子产品可靠性与环境试验 2021年4期2021-09-10
- 离子液体推力器性能影响因素仿真研究
仿真软件研究了发射极阵列密度、电极间距、发射极内径对离子发射所需阈值电压的影响[7]；Kim 将有限元法（FEM）与有限差分法（FDM）结合到MD 仿真中，分析了引出极孔径、发射电压、发射极温度和润湿性等因素对发射电流大小、电流密度和离子速度的影响[8]。但截至目前关于离子液体推力器的研究并未涉及推力器结构对整体性能影响的多工况粒子网格（particle in cell, PIC）仿真分析。本文着重研究离子液体推力器发射阵列几何结构参数对推力器性能的影响：
航天器环境工程 2021年4期2021-09-08
- 变压器反馈式晶体管L C振荡器的阻值选择及形式演变*
1的起振条件，发射极电阻Re也要相应减小。实验结果表明，降低集电极电阻Rc的阻值，并相应降低发射极电阻Re的阻值后，振荡器可以产生正弦波。图3 减小集电极电阻能降低输出电阻对电压耦合的影响实验表明，在发射极电阻Re=1Ω的条件下，选择合适的较小的Rc阻值，振荡器会产生以0 V为中点的正弦输出电压V(out)。改变Rc的阻值，所产生的V(out)如下：Rc=10，失败R c=20，振荡幅度[-2.5 V，+2.5 V]R c=25，振荡幅度[-6.7 V，+
广西民族大学学报(自然科学版) 2021年2期2021-08-18
- 电喷雾推力器结构参数与束流引出效率分析
不同结构参数(发射极棱条高度、发射极引出栅极间距等)情况下的电喷雾推力器实验研究，但测试数据有限，其未对结果进行有效的分析.在前期实验研究中也发现，结构参数会明显影响电喷雾推力器的工作性能.本文采用COMSOL软件分析不同结构下的电场强度分布和粒子运动轨迹，以期为电喷雾推力器的优化设计提供参考.1 研究问题与研究方法1.1 问题提出被动供液式电喷雾推力器主要由发射极、引出栅极、壳体、推进剂工质等组成，如图1所示.图1 电喷雾推力器结构示意图及实物图Fig.
空间控制技术与应用 2021年4期2021-08-02
- 基于IGBT 的宽范围线性功率放大技术
当T2的栅极-发射极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT 处于线性工作区而线性导通。使用该复合管构成单电源功率放大器的电路如图1（b）所示，由于前级三极管T1的存在，电路的输出与直流电压输入部分构成2 个电流回路，输出电压与直流电压之间始终存在如下关系式中：vo为输出电压；Vcc为直流供电压；vce2为IGBT的集电极-发射极电压；vec1为三极管的集电极-发射极电压；vGE2为T2管的栅极-发射极电压。由式（1）可知，vo不仅与vce2有关，
电源学报 2021年3期2021-06-05
- 多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究
1 引言多晶硅发射极晶体管（Ploysilicon Emitter Transistor,PET）因其具有诸多优点，如浅结、易与CMOS 工艺兼容、超增益等，目前已成为超大规模半导体集成电路的主要双极型器件。通常认为，多晶硅发射极的多晶硅与硅衬底之间需要一层薄二氧化硅介质层，这样载流子可以从多晶硅发射极隧穿进入硅衬底。二氧化硅层对电子和空穴构成的势垒高度不同，导致了电子和空穴的隧穿几率存在一定的差异，因而有利于提高发射结的注入效率和晶体管的电流放大系数。但
电子与封装 2021年4期2021-05-06
- 汽车电子电气基础知识详解(五)
层及其接头称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。电荷载体从发射极移动到基极(发射出去)并由集电极吸收。因此晶体管有两个PN结，一个位于发射极与基极之间，另一个位于集电极与基极之间。图67 晶体管的电路符号1.工作原理下面以一个NPN晶体管为例介绍工作原理。PNP晶体管的工作原理相同，但电流流动方向相反。如图68是一个晶体管及其三个接头(发射极、基极和集电极)的工作原理图。图68 发射极电路中的晶体管工作原理发射极内有很多电子，基极内只有少量空穴(缺陷
汽车维修与保养 2020年6期2020-10-24
- 交叉背接触异质结（IBC-SHJ）太阳能电池模型参数的仿真与优化
，得到缓冲层、发射极和背面场对J-V特性的影响，以及FF因子的变化，结论表明缓冲层获得最佳效率的宽度值为10nm附近，发射极宽度的效率最优值约为3mm。关键词交叉背接触;异质结;缓冲层;发射极中图分类号： TM914.4;O613.72 文献标识码： ADOI：10.19694/j.cnki.issn2095-2457 . 2020 . 14 . 95AbstractIn this paper， the geometric dimension
科技视界 2020年14期2020-07-30
- 一“箭”钟情半导体元件
——论“箭头”在学习半导体元器件中的妙用
极管符号总代表发射极的那端本身就是一个箭头。（2）电路分析时画箭头。我们在分析电路的时候，经常要画出电流的流向或者是电流绕行的方向，就是用一个“箭头”来表示的。其实在学习的时候这些“箭头”已经出现了，学生们没有注意，老师们没有总结，它们是大可作为的。2 “箭头法”适用的范围很多老师和学生都认为箭头的作用就是指明电流的流向，笔者认为，箭头的作用至少还有“指明一种顺序（或习惯）”、“指明电位下降（电压的极性）”等作用，在以下场景可以充分发挥作用：（1）半导体二
时代农机 2020年4期2020-07-02
- 压接型IGBT器件单芯片子模组可靠性寿命仿真研究
组包括集电极/发射极钼片、银片、IGBT芯片、塑料框架和栅极探针等结构。图3 单芯片子模组结构Fig.3 Structure of single chip submodule2 压接型IGBT器件单芯片子模组仿真模型2.1 单芯片子模组结构简化模型在单芯片子模组结构中，塑料框架仅起到封装作用，而栅极探针存在弹簧补偿结构，所以两者对单芯片子模组内部的压力分布影响很小，在仿真过程中，为了提高模型的收敛性和运算速度，对于塑料框架、栅极探针等对单芯片子模组可靠性寿
华北电力大学学报(自然科学版) 2020年3期2020-06-22
- 空间热离子能量转换技术发展综述
芯的热量导出到发射极，运行温度较低；而后者则在堆芯内完成了热电转换，燃料元件兼具了释热元件和发电元件的功能，称作热离子燃料元件（Thermionic Fuel Element，TFE），燃料包壳同时作为发电元件的发射极，利于紧凑布置。这两类发电元件各具优点，从目前研究发展历程看，堆内转换占多数，本文侧重于堆内转换的介绍，其基本构造如图2所示。与一般的空间核电源相比，热离子反应堆电源增加了铯蒸气发生器和气体修补系统，前者用于维持热离子发电元件动力工况的工作气
深空探测学报 2020年1期2020-04-22
- 热离子能量转换器扩散工况的电流饱和特性
中，核裂变加热发射极产生热电子发射，电极间隙充入的铯蒸气电离为等离子体，电子输运通过等离子体区域后到达接收极形成回路，工作参数或负载的变化均可使热离子转换器工作在电弧工况或扩散工况[4]。对电弧工况的热电转换特性进行了研究[5]，对于电功率输出较小的扩散工况，虽仅存在于热离子发电元件电极的低温端(温度场边界效应导致)，但该工况下伏安曲线的极限值(饱和电流、开路电压等)与热电转换过程的特征参量(发射极温度、吸铯功函数等)有关联而常被用作诊断分析[6]。因此，
原子能科学技术 2020年1期2020-03-30
- 热离子能量转换器铯电弧工况下电子势能的分布特性
金属作电极对，发射极被加热到高温(～1 500 ℃)产生热电子发射，充入电极间隙的铯蒸气在其中电离形成等离子体，电子输运通过等离子体区域后达到接收极，经外电路的负载做功后重新回到发射极，形成回路。热离子转换器可看作以电子作为介质的热机[3]，电极间隙的势能分布则决定该热机的能量来源。因此，电子在电极间隙的势能分布是研究热电转换特性的关键。目前，对关于电极间隙的电子势能分布已有较深入的了解，但一些基础问题仍有待进一步深入研究，如热离子转换器运行在电弧工况不同
原子能科学技术 2019年11期2019-11-06
- 离子液体电喷推力器的关键技术及展望
体电喷推力器由发射极、吸极、储箱和壳体等几部分组成，图1是其原理图。储箱中有离子液体推进剂，储箱上游为发射极，发射极对应的是吸极。发射极和吸极之间施加高压形成强电场，储箱中的离子液体在外部压力或毛细作用下沿着发射极内部的微小通道或发射极表面输运到发射极尖端，发射极尖端的离子液体在强电场的作用下，带电粒子发射并在同一电场下加速喷出，产生反作用推力。由于单个发射点产生的推力较小，实际中往往将发射极设计为阵列状，让多个发射点并行工作，从而获得较大的推力调节范围。
宇航学报 2019年9期2019-10-09
- 一种基于Buck变换器的缓冲电路
1与IGBT的发射极相连，目的是避免IGBT集电极-发射极电压突变，实现IGBT的零电压(ZVS)关断。图1 Buck变换器主电路拓扑在功率管VT开通过程中，电感Lr一方面使IGBT的发射极电流从0开始增大，另一方面避免续流二极管VD反向恢复电流的上升率di/dt；在功率管VT关断过程中，直流输入电压Ui对电容C1进行充电，降低IGBT集射极之间的du/dt。引入缓冲电路可以降低功率管VT的开通损耗和关断损耗，缓冲电路为无源低损电路，只有很小一部分能量消耗
宿州学院学报 2019年1期2019-04-22
- 槽式湿法碱抛光技术在PERC太阳电池中的工艺研究
1 引 言钝化发射极背面接触(PERC)电池与常规铝背场电池的区别在于PERC电池采用背表面介质膜钝化，局域金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射，降低长波的光学损失[1]。而常规铝背场电池的背表面复合速率高达500～5000 cm/s[2-4]，Horbelt Renate等[5]利用氧化铝/氮化硅作为叠层钝化介质，将背面复合速率降低至10 cm/s。背面抛光技术可以降低背表面的比面积以降低复合速率，也可提升电池背表面的光反射[
人工晶体学报 2019年1期2019-02-19
- 带有非旁路发射极电阻调谐放大器性能的研究
仿真探究放大器发射极电容旁路电阻和非旁路电阻作用及参数设置。1 交互式Multisim13.0 仿真软件NI Multisim 电路仿真软件是一款专门用于电子线路设计仿真的虚拟电子工作平台。该软件平台将原理图输入、工业标准的SPICE仿真集成在同一环境中完成电路行为分析[3][4]。其提供的元件库丰富全面，是高频电子线路设计分析中强大的工具。同时虚拟仪器的使用给学生的分析工作提供了很大便利且缩短实验时间，减少大量元件的耗费[5]。在实现高频电路分析和设计方
微型电脑应用 2019年1期2019-01-23
- 扩散轻掺杂方块电阻的均匀性研究
过研究了选择性发射极电池的工艺原理，不同设备制备的高方阻硅片的片内均匀性，并且在均匀性对电性能的影响。扩散方块电阻的均匀性对太阳电池的电性能至关重要，不仅影响到电池的转换效率，还影响到电池效率的分布，为解决轻掺杂区方块电阻的均匀性这个难点，需要使用低压扩散设备，对扩散时间，气体流量和工艺压力进行调节，然后进行工艺制作，会得到均匀性较好电性能的电池片。引言：目前，光伏行业竞争激烈，提高太阳能电池的转换效率是提高行业竞争力最主要的方法之一。另外，光伏“领跑者”
电子世界 2018年21期2018-11-22
- 静态工作点测量方法的分析与改进
点.（2）测量发射极电压法.可以通过测量发射极电压UE=1V，同样可以确定IC大约为1mA左右，来确定静态工作点.（3）测量集电极-发射极电压.调节RW1，使集电极-发射极电压，保证静态工作点在交流负载线的中点位置.在实验中，我们使用MF47型模拟指针式万用表来测量静态工作点.我们分别使用不同的直流电压档测量UBQ、UCQ和UEQ，同时我们通过理论计算得出计算值，如表1所示.表1 静态工作点的测量值与理论计算值从表1中我们看出，当选用50V的直流电压档测量
赤峰学院学报·自然科学版 2018年4期2018-05-02
- N型铝背发射极太阳电池前面场掺杂分布的优化研究
限公司N型铝背发射极太阳电池前面场掺杂分布的优化研究贾积凯/青海聚能电力有限公司N型硅铝背发射极太阳电池具有高转换效率、无光致衰减、与现有常规电池生产线兼容的有点，从而降低的N型电池的制造成本。而前面场是这一结构太阳电池的重要组成部分。前面场的作用类似于P型常规太阳电池铝背场的作用。前面场可以增强载流子的收集能力，提高电池的开路电压，以及电池的转换效率。在本文中，前面场的掺杂分布进行了细致的研究。优化后的表面浓度在4E+20 cm-3，同时前面场的深度控制
大陆桥视野 2017年22期2017-12-23
- 硅片背面粗糙度对N型铝背发射极太阳电池性能的影响
糙度对N型铝背发射极太阳电池性能的影响高 峰/青海聚能电力有限公司现今的大规模太阳电池生产领域，P型衬底占了绝大部分的市场份额，而N型硅衬底由于其高少子寿命和无光致衰减越来越受关注。本论文以N型的铝背发射极电池为基础，分析了在丝网印刷前硅片背面粗糙程度对电池性能的影响。经过研究发现，当硅片背面仍然保持绒面状态时，即粗糙度比较大的情况下，对于铝背结的均匀性影响非常大。对于铝背发射极N型太阳电池而言，铝硅合金层厚度越均匀器件性能越好。因此背面绒面状态不利于器件
大陆桥视野 2017年22期2017-12-14
- 激光掺杂选择性发射极单晶硅太阳电池的工艺研究
激光掺杂选择性发射极单晶硅太阳电池的工艺研究国家电投西安太阳能电力有限公司 宋志成 倪玉凤 王举亮 屈小勇 吴 翔研究了激光掺杂选择性发射极匹配的扩散工艺，通过调整不同的工艺参数，达到相同的高方阻，比较了不同方法获得的高方阻的均匀性，得到了在105Ω/□左右的高方阻仍能保持较好均匀性的扩散工艺。通过调整激光功率形成不同的重掺杂区方块电阻，研究了不同的重掺杂区方块电阻对电池主要电性能参数的影响，分析了变化原因。最后比较了激光掺杂选择性发射极太阳电池和传统太阳
电子世界 2017年19期2017-11-01
- 硅异质结太阳电池的物理机制和优化设计∗
界面钝化品质、发射极的掺杂浓度和厚度以及透明导电层的功函数是影响硅异质结太阳电池性能的主要因素.针对这些影响因素已经有大量的研究工作在全世界范围内展开,并且有诸多研究小组提出了器件效率限制因素背后的物理机制.洞悉物理机制可为今后优化设计高性能的器件提供准则.因此及时总结硅异质结太阳电池的物理机制和优化设计非常必要.本文主要讨论了晶硅表面钝化、发射极掺杂层和透明导电层之间的功函数失配以及由此形成的肖特基势垒;讨论了屏蔽由功函数失配引起的能带弯曲所需的特征长度
物理学报 2017年10期2017-08-09
- 大容量IGBT并联均流检测技术研究
GBT器件功率发射极与辅助发射极之间杂散阻感在动态过程中的电压变化所反映出的并联器件开关暂态的时序和时长，掌握IGBT并联模块动态不均流度，为后续的门极补偿信号的产生提供有效的参考依据。1 IGBT并联技术研究现状概括来讲，对IGBT器件并联均流问题的研究主要围绕均流影响因素和均流改善方法两方面进行。1.1 IGBT并联模块均流影响因素影响静态均流的因素主要是IGBT的饱和电压、集电极电流、工作结温和回路等效电阻等，其中IGBT的通态饱和压降是导致静态不均
电气传动 2017年6期2017-07-12
- 翻个面就能散热或御寒的智能布料
材料中嵌入双层发射极后，形成的织物可以在不需要电线、外来电源的情况下，具有降温和保暖两档功能，且切换功能时仅需调整织物的正反面。这将拓宽人们对环境温度的舒适范畴，增强皮肤对环境的适应性。保持稳定的体温是生理功能的重要基础。在冬天和夏天，人们除了通过增减衣物，改变身体与环境之间的热交换之外，只能通过开空调等改变环境温度的方式来让体温保持在正常水平。据统计，全球13%的能源消耗是在空调上。碳能很好地吸收中红外辐射，是理想的高发射率材料。相反金属会对中红外辐射进
纺织科学研究 2017年12期2017-04-04
- UPS的使用安装维护和运行
GBT；栅极；发射极；集电极；整流；逆变DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.01.1111 UPS的工作原理和主要元件的保护UPS其工作原理是在正常的情况下输入回路向既向负载提供电源，要向UPS的电池充电，储备能量以备停电时向负载提供电源。当UPS内部故障或UPS必须进行保养维修，测试时能转换到旁路。输入电源通过旁路直接向负载供电。而负载不需中断。为了保证负载不间断的运行，就要保护主要元件，如果发现输入的电源回路断电或故障
山东工业技术 2017年1期2017-01-24
- 基于Multisim 13.0调谐放大器静态工作点研究
温度扫描分析对发射极电阻值进行设置。结果直观、精确,很好地验证了理论, 借助仿真分析实现了定性分析到定量分析的跨越，表明该软件有强大的仿真和分析功能,在实现高频电路分析和设计方面不仅高效、可靠,而且具有逼近真实电路的效果。Multisims13.0; 静态工作点; 调谐放大器0 引 言高频调谐放大器是高频电子线路中的基本单元电路,广泛应用于广播、雷达、通信等接收设备[1-3],其主要功能是从所接收的众多电信号中,选出有用的信号并加以放大,而对其他无用信号、
实验室研究与探索 2016年9期2016-12-05
- 高效晶体硅太阳电池技术及其应用进展
展，包括选择性发射极太阳电池、异质结太阳电池、交错背接触太阳电池、金属环绕贯穿太阳电池，以及发射极环绕贯穿太阳电池。高效；晶体硅太阳电池；选择性发射极；异质结；背接触0 引言目前，晶体硅太阳电池应用最为广泛，其中高效晶体硅太阳电池技术始终是国际光伏行业研究的热点之一。晶体硅太阳电池是目前商业化程度最高、制备技术成熟的太阳电池，自从第一块晶体硅p-n结太阳电池于1954年在贝尔实验室问世以来[1]，人们对晶体硅太阳电池的研究经久不衰，提高电池的光电转换效率、
太阳能 2016年8期2016-09-23
- 大功率IGBT短路故障分析
范围内。当栅极发射极驱动电压为+15V时，A厂家IGBT模块的芯片会脱离饱和状态，并限制模块的故障电流到5 kA左右。本文进行了软性短路故障的测试，采用的试验方式是使用IGBT模块通过饱和电感给电容放电。开始时由于电路电感的限制，电流的增长率较低，而当电感饱和后不再阻碍电流增长时就会出现软性短路。1 故障说明发生软性短路时，变频器中有一些模块发生损坏。测量显示故障时IGBT模块中电流峰值超过了15 kA，而上升速率大于10 kA/μS。A厂家IGBT模块的
船电技术 2016年6期2016-07-04
- 复旦大学制备出效率达18.97%的黑硅太阳能电池
刻蚀方法在n型发射极中形成多孔黑硅，获得的黑硅电池具有宽谱特性，在很宽的波长范围内的反射率低于0.3%，且光电转换效率也大幅提高。此外，由于硅纳米晶的带隙高于晶硅，因此，该黑硅电池的开路电压高于相应的平面硅电池，而且，其发射极的梯度带隙结构抑制了前表面电子和空穴的复合，短波长范围内的量子效率很高，表面复合较小，光伏响应也较好。与其它黑硅电池相比，该黑硅电池制造方法简单，无需增加任何设备，比传统绒面加减反射膜的工艺更简单、成本更低、效果更好。(KX.0929
军民两用技术与产品 2016年21期2016-01-05
- 一种低温度系数带隙基准源设计
个三级管基极－发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响，但是在CMOS工艺中，三级管的正向电流放大倍数β很小，导致三极管基极电流的分流会对发射极电流产生很大影响，带隙基准输出存在较大温漂。为了解决这个问题，提出了一种带基极电流补偿的低温度系数带隙基准源电路。电路设计采用TSMC 0．25μm工艺，经过spectre仿真验证，进行－55℃－125℃的温区扫描，基准随温度变化范围为1．85mV，相应的温漂系数为8．44ppm／℃，加入基极电流补偿电路后电
微处理机 2015年4期2015-12-16
- 硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析
BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析胡顺欣，李明月，苏延芬，邓建国(中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄050051)介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式，着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型，研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对PtSi的影响。结果表明：RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤，接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加，部分Pt沿此通道穿透发射结进入
电子工业专用设备 2015年7期2015-05-16
- 磷杂质分布优化方法的研究
应的峰区，需对发射极杂质浓度分布进行优化，提高电池蓝光响应。太阳电池理论计算表明，较浅p-n结有助于短路电流的提升，低表面浓度可提升开路电压。然而，低表面浓度会增加电池电极和硅之间的欧姆接触电阻，从而降低FF。为了解决这一矛盾，需取一个折中的表面掺杂浓度以兼顾开路电压和串联电阻。1 磷在硅中的扩散机理p-n结是太阳电池的核心，发射极质量直接影响到电池的光电转换效率，所以研究磷在硅中的扩散机理很有必要。热处理过程中，磷在硅中的扩散机理已有很多研究，一般认为磷
太阳能 2014年3期2014-05-12
- 基于BJT的有源降噪电路
2的选择应保证发射极和集电极都有适当的直流电压，可选 VCE＞1V,I2＞5mA。 若 VIN、V0、I2、IL给定，电阻：图1 单个三极管的降噪电路图2 图1电路的直流通路当 R4＞＞R1时，I2≈IE，R4上的电流相对于集电极电流可忽略不计，电阻：图1的交流等效电路如图3所示。噪声信号vi被反相放大，噪声电流i与R2上流经的电流构成回路，输出端交流电压为0。当R3足够大时，其上的交流可忽略，i≈ic。当 R3＞＞(R1+R2)时，VT=26mV。可初选
科技视界 2014年13期2014-04-16
- Vishay新款IGBT模块为太阳能逆变器和UPS提供完整集成方案
0S的集电极到发射极的击穿电压为1 200 V，集电极电流达到30 A，适合三电平NPC拓扑。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U可用于三电平逆变器级，集电极电流分别为75 A和150 A，集电极到发射极的击穿电压分别为600 V和650 V，可在+175℃高温下工作。15A VS-ETL015Y120H适用于双路升压转换器，集电极到发射极的击穿电压为1 200 V，采用高效硅启动二极管，集成62 A旁路二极管、电池板短路全电流反向极性保
电子设计工程 2014年20期2014-03-25
- 单晶钨高温长期服役下的显微组织演变行为
离子能量转换器发射极的功能性涂层材料［1-4］。化学气相沉积技术获得的材料具有高纯度、高致密度以及结晶择优取向等特点，经常被采用制备单晶钨及其他难熔金属单晶材料［5-7］。研究表明，单晶钨｛110｝晶面具有最高的真空电子功函数，因此采用｛110｝晶面择优取向的单晶钨作为热离子能量转换器发射极可提高热电转换效率［1］。而采用化学气相沉积法制备的单晶钨涂层其表面｛110｝晶面所占份额较少，需对单晶钨涂层进行电化学蚀刻，以裸露出更多的｛110｝晶面［2］。在热离
原子能科学技术 2014年1期2014-03-20
- 差分放大电路的研究
。调零的方法有发射极调零和集电极调零两种。图1所示的电路是带有集电极调零的差分放大电路。图2所示的电路是带有发射极调零的差分放大电路。2.集电极调零的差分放大电路的电路分析在图1所示集电极调零差分放大电路中，设电位器RP滑动端左边的电阻为R1，右边的电阻为R2。即有：R1+R2=RP。当电位器RP滑动时，流过负载电阻RL的电流I相应变化。由于0≤R1≤RP，所以当电位器滑动时，流过负载电阻RL的电流I的变化范围是：负载电阻RL的电压uO的调节范围是：3.发
电子世界 2013年4期2013-12-10
- IGBT斩波控制器在电机车上的应用
GBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSTET 导通，PNP 晶体管的集电极与基极之间的低阻状态使得晶体管导通，若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSTET 截止，切断PNP 晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT的安全可靠性取决于以下因素：（1）IGBT 栅极与发射极之间的电压。驱动电压过高，IGBT 不能稳定正常工作，驱动电压过低，IGBT 永久损坏。（2）IGBT 集电极与发射极之间的电压。电压超过它们之间的耐压，IGBT
机械工程师 2013年3期2013-08-15
- 多晶发射极结构三极管抗总剂量能力研究
）1 概述多晶发射极三极管结构和传统三极管结构相比，具有很多优势，包括极大的放大倍数、更高的响应频率和更小的尺寸结构，这些优势使得该结构在亚微米和深亚微米BiCMOS工艺中完全取代传统三极管结构而被广泛采用。实际上，在和传统三极管结构比较中，我们比较容易忽略多晶发射极结构三极管的另外一个优势，那就是多晶发射极结构具有更强的抗总剂量辐照能力。2 三极管总剂量机理分析总剂量辐照效应是由于伽马射线入射到SiO2介质中，产生能量沉积，形成电子空穴对。由于电子在Si
电子与封装 2012年7期2012-12-05
- 天线效应对LPNP管输出曲线的影响
管工艺过程中的发射极结损伤。实验发现，带天线结构的LPNP管的输出曲线容易出现翘曲现象，分析认为该异常不是由于发射极结损伤造成的，因为发射极结工艺过程中并没有受到损伤。同时发现该翘曲现象在LPNP管保护环接低电位时会消失，该低电位在很大范围内变化时，输出曲线基本一致，且输出曲线电流较保护环悬空时的电流整体偏大，在集电极电压较大时，输出电流和保护环悬空时的电流一致。天线结构；输出曲线；翘曲；发射极结；保护环1 LPNP管天线结构设计目的和评估参数天线结构版图
电子与封装 2012年1期2012-09-05
- IGBT动态di/dt控制电路实现方法
Ω和50 Ω时发射极电流进行仿真比较。通过图3-8仿真分析的结果可以得出，取样电阻 R1越大，发射极电流变化率越小，补偿效果越好，特别是发射极电流下降率变化尤为明显。这与理论分析相吻合。图3 R1=200 Ω时发射极电流波形图4 R1=50 Ω时发射极电流波形图5 R1=200 Ω时发射极电流上升波形图6 R1=50 Ω时发射极电流上升波形图7 R1=200 Ω时发射极电流下降波形3 结论本文提出了一种具体的di/dt控制电路，通过该改进电路，解决了在实际
船电技术 2012年6期2012-07-04
- 对基础元件三极管的简介
JT；NPN；发射极；集电极中图分类号TN112 文献标识码A 文章编号 1674-6708（2012）67-0197-02随着电子技术的发展，其理论已经广泛的运用到了各行各业，《模拟电子技术基础》成了通讯工程、自动化及其他电力工程类各专业的一门必修技术基础课程。三极管却是个完全陌生的概念，使得我们难以入门。晶体三极管也称晶体管或者三极管，是双极性晶体管的简称，具有信号放大和开关的基本特性，属于电流控制元件，是常用半导体组件之一。其种类繁杂，有NP
科技传播 2012年10期2012-06-06
- 半导体三极管的识别和检测
出的电极依次为发射极（e极）、基极（b极）和集电极（c极）。发射区和基区在交界处形成发射结；基区和集电区在交界处形成集电结。根据半导体各区的类型不同，三极管可分为NPN型和PNP型两大类，如图1（a）、（b）所示。图1 三极管的结构符号及等效电路2.三极管的电流放大作用三极管最基本的作用是电流放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β，即当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的
职业技术 2011年12期2011-10-30
- 铟场致发射电推力器的研制①
、吸极内半径及发射极到吸极距离与发射特性的关系。1 FEEP的工作原理FEEP推力器属于静电式推力器。图1为其典型针型FEEP结构，主要包括发射极、吸极器及其他附属装置。FEEP工作时，首先利用加热装置将推进剂加热至熔点之上，持续若干时间，以使得发射极及推进剂存储室内的推进剂充分熔化，发射极穿过含有液态推进两极之间的电场强度达到1010V/m的量级。处于尖端的液体在静电力与表面张力的共同作用下形成泰勒锥(锥顶角为98.6°)［7］。在电场和电动流体作用下，
固体火箭技术 2011年6期2011-08-31
- 快乐ＨＣ２０６１ＡＲ（ＩＩＩ）彩电黑屏故障检修
个视放管基极和发射极电压均为7.6V左右，反偏截止；将显像管加速极电压调高后，出现纯净的白光栅，但有回扫线，说明显像管供给中、高电压正常，判断故障在解码和亮度电路。该机为东芝TA二片机（TA7680AP和TA7698AP），微处理器为TMP47C433AN。查扫描、解码电路TA7698AP的脚12V供给电压正常（见附图），亮度控制端脚电压为4V左右，且随亮度调整上下变化， TA7698AP内部亮度电路输出端23脚电压为8V，随亮度调整也有相应变化，但变化幅
电子世界 2004年1期2004-03-14