单晶硅
- 直拉法单晶硅中位错影响因素的研究进展★
）0 引言制备单晶硅的主要方法包括直拉法与提拉法，其发明者为波兰的科学家Czochralski，发明时间为1916年。就直拉法单晶硅而言，因其具备晶体缺陷较少、纯度较高等优点，在太阳能电池以及半导体工业中广泛应用。而硅中有害性最显著，并且最常见的一种缺陷即为位错问题，其可缩短少子的寿命，并且令金属杂质聚集在一起，进而发生电流漏出的状况。同时，还能够令单晶变成多晶，进一步致使结构出现损失。因此，本文通过对国内外有关直拉法单晶硅位错相关研究情况进行总结归纳，了
山西化工 2023年7期2023-08-08
- 海外单晶硅太阳电池生产线建设的分析与研究
触(PERC)单晶硅太阳电池、遂穿氧化层钝化接触(TOPCon)单晶硅太阳电池、p 型叉指式背接触(IBC)单晶硅太阳电池和异质结(HJT)单晶硅太阳电池技术的投资成本进行拆解，并对采用这4 种太阳电池技术路线的海外生产线的建设成本和设备投资回报进行对比；然后通过海外实际项目案例，对海外以PERC 和TOPCon 单晶硅太阳电池技术为代表的生产线建设情况进行研究分析。1 海外光伏市场发展现状目前，全球已有130 多个国家和地区相继宣布其碳中和目标，部分国家
太阳能 2023年6期2023-07-03
- 单晶硅纳米磨削亚表面损伤形成机制及其抑制研究＊
为半导体材料的单晶硅因为具有高强度、耐高温、抗氧化以及耐磨损等优异特性被广泛应用于集成电路的制造中，并且在手机、电脑、电器、国防建设以及航天等领域都扮演了重要角色[1]。随着集成电路制造技术中对产品高性能、多功能、小型化和低功耗的需求，对硅晶圆减薄技术提出了越来越高的要求[2]，同时也对减薄的厚度以及表面质量提出了更高的需求。而单晶硅属于典型的硬脆难加工材料，减薄过程中极易出现表面裂纹和亚表面损伤，严重限制其服役寿命和使用要求[3−4]。纳米磨削技术由于可
制造技术与机床 2023年3期2023-03-10
- 四甲基胍单晶硅片湿法制绒工艺研究
04)0 引言单晶硅太阳电池的表面制绒是提高其光电转换效率简单有效的方法之一。在单晶硅太阳电池的制备过程中，单晶硅片的制绒工艺包括化学腐蚀法、反应离子刻蚀法、光刻法、机械刻槽法等。化学腐蚀法是目前光伏行业使用最广泛的制绒工艺，通常采用碱醇混合溶液，比如氢氧化钠或氢氧化钾与异丙醇或乙醇的混合溶液，作为刻蚀体系。其中，碱为刻蚀剂，用于刻蚀硅片；醇为消泡剂，用于除去反应产生的氢气泡。硅片表面形成的金字塔结构是由于碱与硅的各向异性反应造成的，在一定浓度的碱溶液中，
太阳能 2022年7期2022-07-30
- 飞秒脉冲激光辐照半导体材料的热/力特性
对飞秒激光作用单晶硅材料进行数值模拟，得到硅的电子温度、晶格温度等随入射能量强度的变化规律。Ashkin A[5]利用单光束成功观测到聚焦激光束的力学效应。林晓初[6]利用压电探测器和超动态应变仪构成的应力/应变测量系统得到了激光脉冲作用靶板的应力/应变过程。认为实验条件下飞秒脉冲激光脉冲加载的瞬态应力为GPa级。激光辐照材料产生的热效应具有几何尺寸小、隐藏在材料内部等特点，且常规的应力测量方法易受固体表面温度的影响，因此实验采取非接触式测量的方式研究飞秒
装备制造技术 2022年4期2022-07-24
- 单晶硅太阳电池湿法刻蚀工艺研究
合实际生产，以单晶硅太阳电池制备过程中的湿法刻蚀工艺为例，提出湿法酸抛——富氢氟酸工艺和湿法碱抛工艺，并进行实验验证其可行性。1 实验1.1 实验材料本实验硅片采用河北松宫半导体有限公司生产的p型掺镓单晶硅片，硅片尺寸为168 mm×168 mm，电阻率范围为 0.4～0.8 Ω·cm。1.2 实验仪器本实验采用品牌为RENA的8道湿法刻蚀机台、常州捷佳创智能装备有限公司生产的去磷硅玻璃(PSG)机和碱抛机台，减重测试使用品牌为Setra的精密电子天平，使
太阳能 2022年6期2022-07-05
- 激光辅助加工单晶硅温度场的数值模拟
摘 要：单晶硅作为光学晶体材料的典型代表，具有导热性良好、红外光折射率高等优点，但其脆性大、硬度高，难以加工，而激光辅助加工是提高单晶硅加工效率的有效方法。现首先通过COMSOL Multiphysics软件建立激光辅助加工单晶硅的有限元模型，确定了最合适的激光功率;然后通过单因素试验法，模拟了激光功率、光斑直径、移动速度对单晶硅温度场的影响;最后采用红外热像仪获得实验值，并与模拟值进行比较，结果表明，测量的温度值与仿真计算值变化趋势是一致的。关键词：激光
机电信息 2022年12期2022-06-21
- 单晶硅的放电加工条件与试验研究
应用[1]。但单晶硅的高硬度、高脆性以及低断裂韧度，使其成为典型的脆性难加工材料，传统的机械加工过程中容易出现加工效率低、加工精度无法保证、表面质量差以及崩碎断裂等缺陷，而复杂曲线及曲面的加工则更为困难[2]。放电加工（Electrical discharge machining，EDM）是种一非接触式的种特种加工技术[3]。EDM利用电极与工件之间的脉冲放电产生的热量对工件材料进行不断蚀除[4]。其特有的非接触式蚀除机理，加工不受材料脆硬程度的限制，可以
机械科学与技术 2022年3期2022-04-19
- 基于分子动力学模拟的单晶硅冲击压缩相变研究*
准静态荷载下，单晶硅表现出显著的多态性，目前已观察到13 种相结构。Mujica 等指出，单晶硅在10～11 GPa 的载荷下发生了从立方金刚石（cubic diamond, CD）结构到β-白锡（β-tin）结构的相变，并通过第一性原理计算出存在中间暂稳态 Imma 相。而增加压力时，晶体硅继续发生向简单六角形（simple hexagonal，SH）结构的转变；再进一步增加压力，变为Cmca 空间群结构，而在41 GPa 的高压下，晶体硅又从Cmca
爆炸与冲击 2022年1期2022-02-11
- 基于分子动力学的单晶硅纳米压痕过程分析
本文主要分析了单晶硅的纳米压痕过程，并尝试解释其瞬间原子位置、作用力变化以及其压痕过程等原理。经过笔者试验发现：磨粒的不断压入，会使单晶硅的硅晶格发生变成，且磨粒产生的能量会以应变能的形式存储在晶格之中。同时，随着硅原子势能增加到一定数值时，硅原子键就会以断裂形式变成非晶层堆积在磨粒下方。当磨粒离开单晶硅时，非晶层开始重构，释放能量，达到新的平衡状态。Abstract： Based on the perspective of molecular dynam
内燃机与配件 2022年1期2022-01-06
- 光伏组件电池光致衰减效应(LID)研究进展
，p型掺硼直拉单晶硅太阳电池在光照下会出现效率衰退现象，因此，提高晶体硅的品质并抑制光衰的措施和机制成为光伏领域研究的重要课题。关键词：晶体硅太阳电池;光致衰减.Abstract：With the continuous improvement of the conversion efficiency of the p-type crystalline silicon solar cell，the problem of efficiency loss due
科技信息·学术版 2021年29期2021-12-06
- 背表面氮化硅薄膜与氧化铝薄膜制备工艺对 单晶硅双面太阳电池EL的影响
为了进一步提高单晶硅太阳电池的光电转换效率，研究人员针对单晶硅太阳电池背表面钝化情况展开了研究。钝化的目的是为了尽量减少单晶硅片表面陷阱所引起的非平衡载流子的复合[1]，通常是在单晶硅片背表面制备1层钝化膜，即氧化铝薄膜与氮化硅薄膜，依靠氧化铝薄膜与氮化硅薄膜中的各种原子与半导体表面的悬挂键结合，从而降低单晶硅片表面陷阱对载流子寿命的影响。管式PECVD设备的背面钝化工艺主要分为升温、高温退火、抽真空、氮化硅沉积、清洗这5个步骤。其中，升温步骤主要是通过电
太阳能 2021年10期2021-11-03
- 硅片加工过程崩边的控制措施
薛佳勇摘要：单晶硅片作为集成电路芯片生产主要原材料，在加工过程中的质量控制是至关重要的，尤其是单晶硅片崩边的出现，更是困扰很多生产厂家的技术难题。本文只对单晶硅片加工的“断”、“滚”、“切”、“倒”、“磨”几个关键步骤中，如何控制单晶硅片崩边的一些有效措施或者方法进行论述，希望能够给单晶硅片加工的同仁带来帮助和启迪！关键词：单晶硅;芯片;集成电路;崩边;金刚石;损伤层引言集成电路的原材料很多，硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓和碳化硅等等，但最基础还是要以单晶
科学与生活 2021年19期2021-10-30
- 便携式电动汽车太阳能充电板设计
优化等步骤，对单晶硅太阳能电池特性分析以使本项目顺利完成。关键词：绿色出行;续航;单片机;单晶硅1、研究的现状及意义为了解决电动汽车车主在行驶途中汽车电量不足的问题，让车主绿色出行，放心出行，保护环境，绿色你我他。本项目各部分作用可从如下几点加以实施：（1）车主在出行前，不用担心自己的电动汽车电量不足的问题。若在行驶途中，汽车电量不足，便可拿出本产品自己安装给汽车充电，实现随时随地充电，摆脱定点充电的束缚;（2）装置简单，方便操作。本项目产品质量轻，结构简
科教创新与实践 2021年12期2021-09-10
- 世界首个旋式铸造单晶炉研制成功
，相比传统直拉单晶硅， 旋式铸造单晶炉生产铸造单晶的成本要低20%，耗能也僅为前者的23%。业内人士认为，该成果表明我国光伏装备研制水平迈上了新的台阶。多年来，光伏发电以多晶硅、单晶硅电池为主。近年来，单晶硅电池以较高的光电转换率，在市场上逐步赶超多晶硅电池。单晶硅电池市场份额从2016年不到20%发展到如今接近90%，但单晶硅电池尤其是传统直拉单晶的生产成本也较高，因此，大幅降低单晶硅成本是降低单晶硅电池乃至光伏发电成本的技术关键。据了解，铸造单晶硅技术
中国科学探险 2021年3期2021-07-29
- 电化学沉积制备高结晶度金箔
方法，以传统的单晶硅为基底，在三水合金酸氯化金水溶液（HAuCl4·3H2O，0.1mM）中沉积高度结晶的金薄膜。单晶硅已被证明是高度结晶半导体、光学材料和超导体外延生长的理想衬底。电化学沉积的金箔沿着作为阴极的单晶硅衬底的晶向形成。通过石英晶体微天平定量地得到了薄膜厚度随时间的变化规律，薄膜厚度可由施加电压在0.1mM固定浓度下控制。为将金膜转移到硅衬底上，在光照射下通过硅氧化法制备了一层薄氧化物（SiOx）层。【Abstract】In this pap
中小企业管理与科技·上旬刊 2021年6期2021-07-14
- 单晶硅微铣削表面粗糙度实验研究
215009）单晶硅是一种硬而脆的材料[1]，由于其独特的物理化学性能，被广泛应用于微电子领域[2]。某些应用通常把单晶硅制造成几十甚至几百微米的复杂结构[3]，并且要求很高的制造精度和表面质量，典型的光刻技术、化学蚀刻等加工仅能加工平面2维或2.5维结构[4-5]，相比之下，微铣削能够制造出3维微结构，同时具有高精度、高表面光洁度，且机械装夹简单[6]，相比于光刻机设备成本低廉。常温下，单晶硅属于脆性材料，去除材料以崩碎为主，只有在合适的切削参数条件下才
苏州科技大学学报(工程技术版) 2021年2期2021-07-02
- PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池EL发黑的影响
硅薄膜导致双面单晶硅太阳电池EL发黑的各种条件进行了实验验证及理论分析，研究了背面氮化硅薄膜底层膜、中层膜，以及上层膜边缘的折射率等条件不同的情况下对双面单晶硅太阳电池EL发黑的影响，研究结果对双面单晶硅太阳电池生产线的现场良品率控制有一定的帮助。1 EL原理EL又称场致发光。EL的基本原理为：给太阳电池加正向偏置电压，p区加正电压，n区加负电压，正向偏置电压的电场与p-n结自建电场方向相反，正向偏置电压的电场削弱了自建电场对晶体中电子扩散运动的阻碍作用，
太阳能 2021年2期2021-03-04
- 氚/单晶硅器件辐伏电池模型及样机的长期稳定性研究
量也容易控制。单晶硅器件的材料生长工艺及器件制备工艺非常成熟，而且硅也是绝大部分低功耗集成电路和低功耗MEMS系统的原料，基于单晶硅器件制作辐伏同位素电池也易于实现与集成电路和MEMS系统集成。在应用低能同位素氚、Ni-63等的辐伏同位素电池研究中，人们首先关注的是射线能量在半导体换能器件结构中的能量沉积的优化[3-5]，但辐伏电池的输出稳定性是之后更须关注的研究内容。辐伏同位素电池的基本要素是同位素和半导体结型器件，一般所选同位素半衰期很长，同位素材料一
同位素 2021年1期2021-02-25
- 基于图像处理的单晶硅金字塔织构测量方法研究
因此，计算分析单晶硅金字塔织构高度的分布情况，对进一步研究单晶硅电池的光电转换效率是非常有意义的。目前，一些学者在表征单晶硅金字塔织构的分布情况做了一些研究。文献[1]通过扫描电子显微镜观测制绒后单晶硅表面金字塔形貌，对比不同金字塔形貌图片进行定性分析。该方法往往取决于人的主观判断，检测结果不够准确。文献[2]利用扫描电子显微照片（SEM）的统计分析检测方法确定金字塔尺寸分布情况，该方法存在精确度不高，误差大的缺点。文献[3]基于共聚焦显微镜测量单晶硅金字
现代电子技术 2020年15期2020-07-31
- 加强本科生自动化工程项目参与提高本科生专业课程学习兴趣
业;工程项目;单晶硅中图分类号：G642 文献标识码：B文章编号：1671-489X（2020）14-0096-03Strengthen Participation of Undergraduate Automation Project and Enhance Undergraduate Students Interest in Professional Course： A Case Study of Single Crystal Silicon G
中国教育技术装备 2020年14期2020-01-28
- 标准硅片波数定值及测量不确定度
：标准硅片 单晶硅 拉曼光谱仪 波数 不确定度中图分类号：TB9 文献标识码：A 文章编号：1672-3791（2019）08（c）-0001-03Abstract： To establish a method for standard silicon wavenumber value and evaluation of measurement uncertainty for wavenumber value. Ods： The sample
科技资讯 2019年24期2019-11-11
- 毫秒激光辐照单晶硅产生燃烧波仿真及实验*
130052)单晶硅是构成各种微电子元器件的重要材料，微电子在国家经济、国防和科技现代化上起着举足轻重的作用，一直是国内外研究的热点[1-4].单晶硅也是非常优良的红外窗口材料，在强光辐照下易产生致燃损伤，研究激光致燃损伤单晶硅的规律和机理防止单晶硅损伤是激光及相关电子系统设计的重要前题.目前，对激光诱导等离子体进行的研究[5-10]多集中于短脉冲激光和金属靶材，对毫秒脉宽的长脉冲激光和半导体材料单晶硅的研究较少.本文建立毫秒脉冲激光诱导单晶硅产生燃烧波仿
沈阳工业大学学报 2019年5期2019-09-19
- 晶体材料种类区别及优势研究
要：近年来，以单晶硅和多晶硅为代表的各种晶体材料和相关高科技产业的发展，成為现代信息技术产业的支柱，使信息产业成为全球经济发展中增长最快的主导产业。本文针对单晶硅与多晶硅的特征、性质、区别、应用及优缺点进行了分析与研究，为实际开发相关资源提供了理论参考。关键词：晶体材料;单晶硅;多晶硅;太阳能发电引言晶体材料作为一种潜力巨大，开发利用率高的高科技资源，越来越受到人们的关注和重视。目前，为了扩大太阳能发电的消费市场，提高太阳能电池的光电转换效率是非常必要的，
科学导报·学术 2019年23期2019-09-10
- 单晶硅晶片化学机械抛光基本特性研究
和电子迁移率，单晶硅晶片已经广泛地应用于从宏观到纳米级的器件中，用于照明，光电检测，太阳能转换等。例如，具有纳米级光滑、超平坦且无损伤表面的单晶硅晶片适用于金属有机化学气象沉淀，以生产高性能柔性太阳能电池和发光二极管(LED)[1]。在加工过程中，单晶硅晶片首先经历锯切过程，由于其高硬度和脆性，在晶片表面深处引入缺陷和/或断裂损伤，随后，利用研磨和抛光过程去除锯切引起的损伤并产生一个名义上的无损伤表面。目前，CMP是被用作生产纳米级光滑表面最有效的方式之一
兵器装备工程学报 2019年6期2019-07-05
- 背钝化膜特性对PERC单晶硅太阳电池的影响研究
射率对PERC单晶硅太阳电池电性能的影响。通过分析不同的电性能参数，并结合量子效率QE、少子寿命，对PERC单晶硅太阳电池的电性能状况进行了分析。1 实验实验中所使用的单晶硅片是目前各厂家量产的主流硅片，其规格为：p型单晶硅片，尺寸为156.75 mm×156.75 mm，电阻率为1～1.5 Ω·cm，厚度为180 μm。此单晶硅片采用PERC太阳电池工艺流程制备，即制绒、扩散、碱抛光、热氧化、背面镀氧化铝膜及氮化硅膜、正面镀氮化硅膜、激光刻槽、印刷烧结，
太阳能 2019年5期2019-06-11
- PERC双面单晶硅光伏组件应用技术与案例分析
型PERC双面单晶硅光伏组件；但是对于2017年才量产的PERC双面产品，实际应用的案例还不多，其产品优势还未能得到充分论证。本文对PERC双面单晶硅的发电技术进行了简要介绍，并以全球PERC双面单晶硅光伏组件大规模应用的典型案例——黄河水电共和晨阳光伏电站为例，对PERC双面单晶硅光伏组件的发电量进行了分析，为该发电技术的发展提供了一定参考。图1 ITRPV太阳电池技术的预测数据1 PERC双面单晶硅技术介绍相比于常规铝背场(Al-BSF)技术，PERC
太阳能 2019年4期2019-05-13
- 浅析单晶硅辐照中子注量在线测量信号刻度的影响因素
探测器在线监测单晶硅受照热中子注量时，需要对其测量信号（电流值）进行刻度。由于探测器无法布置在硅体上，导致其信号刻度的影响因素较多且复杂。为保证刻度的准确性，本文对影响自给能中子探测器和单晶硅位置的热中子注量率分布及中子能谱的因素进行了简要梳理和分析，并提出了一些刻度试验策略。【关键词】单晶硅;自给能中子探测器;信号刻度中图分类号： O774 文献标识码： A 文章编号： 2095-2457（2019）03-0192-002DOI：10.19694/j.c
科技视界 2019年3期2019-04-20
- 单多晶组件对比分析
优势。关键词：单晶硅；多晶硅；效率中图分类号：TM914.4 文献标识码：A 文章编号：1671-2064（2018）03-0155-02太阳能光伏发电的最核心器件是太阳电池，商用的太阳能电池主要包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、碲化镉电池、铜铟硒电池等。单晶硅、多晶硅太阳电池由于制造技术成熟、产品性能稳定、使用寿命长、光电转化效率相对较高的特点，被广泛应用于大型并网光伏电站项目。1 单晶硅和多晶硅的区别当熔融的单质硅凝固时，硅原子
中国科技纵横 2018年3期2018-03-15
- 单晶硅光伏发电的前景和问题
现实意义。1 单晶硅光伏发电相关问题概述1.1 单晶硅发电电池简介在目前的光伏发电发展中，对单晶硅光伏发电的运用较多，单晶硅电池主要由单晶硅原料制造，属于早期进行太阳能开发的一种电池品种。在现阶段太阳能电池制造的种类中，单晶硅原料的太阳能电池，具备最高的电力转换效率，其拥有较为成熟的生产应用技术，在国内太阳能发电的实际应用与工业生产中所占比重最大。由于太阳能电池未用其进行普通硅的制造，主要目的是为了实现高纯度目标，并在制作过程中增加其复杂性，容易导致能源的
建材与装饰 2018年38期2018-02-14
- 基于单晶硅制绒金字塔生长异常的解决方法
要本文研究的是单晶硅太阳能电池碱制绒后出现异常表面的分析方法。以正常生产中出现的亮片表面为例，进行全面解析，通过SEM对不同制绒后的片进行金字塔的大小测量及ImageJ软件统计单位面积的金字塔个数进行数据比较得到基础数据，分析影响晶体硅金字塔结构生长异常的原因，便于查找相关的工艺和设备问题，为晶体硅太阳能制绒的正常生产提供了数据分析参考和经验积累。【关键词】单晶硅 制绒 金字塔 工艺 设备 数据分析 经验积累单晶制绒的工艺以及设备运行状态对表面制绒的效果起
电子技术与软件工程 2017年24期2018-01-17
- 光伏：单晶硅片价格累计降幅高达12.5%
2月4日，隆基单晶硅片156.75mm＊156.75mm价格整体调整，调整后180um单晶硅片针对国内执行4.8元/片，价格下调0.4元/片，降幅达7.7%。多晶硅价格同样下行，价格跌破130元/公斤，降价幅度达到13.3%。不到一个月，隆基单晶硅片在2月23日再次宣布价格下调。国内价格从4.8元/片下调至4.55元/片，国外价格从0.67美元/片下调至0.63美元/片。连续两次下调单晶硅片价格累计降低0.65元/片，累计降幅高达12.5%。从目前来看，单
能源 2018年3期2018-01-16
- 浅析单晶硅生长的机理
冯殿义摘 要 单晶硅作为影响国家未来技术发展的重要材料，对于我国高新技术发展具有战略性地位。论文主要对形成单晶硅的重要方法即直拉法（CZ）单晶硅生长的机理与工艺进行了分析，并对如何提纯材料，提纯减少杂质的措施进行了介绍。关键词 单晶硅；生长机理；杂质中图分类号 TM91 文献标识码 A 文章编号 2095-6363（2017）17-0002-01单晶硅作为影响国家未来技术发展的重要材料属于立方晶系，单晶硅具有独特的金刚石结构。这种材料独特的结构属性，使其成
科学家 2017年17期2017-10-09
- 葡萄糖对单晶硅太阳能电池制绒的影响
27)葡萄糖对单晶硅太阳能电池制绒的影响蔡淑红，石 晶，姜 燕，谭凯峰，刘波涛(中国船舶重工集团第七一八研究所，河北 邯郸 056027)本课题考察了葡萄糖作为制绒添加剂对单晶硅太阳能电池制绒的影响，试验结果表明，当使用1.3%NaOH和6%乙醇的水溶液作为制绒液时，葡萄糖浓度为(0～400)ppm时，随着葡萄糖浓度的不断增加，单晶硅片表面金字塔结构尺寸和平均反射率不断减小，结构越来越规则；当葡萄糖浓度为400ppm时，得到的单晶硅片金字塔形状完整，尺寸大
山东化工 2017年15期2017-09-16
- 光伏发电电池和变换器拓扑综述
综述。关键词：单晶硅；多晶硅；逆变拓扑光伏发电在整个能源消费中所占比例虽然还不大，但其增长速度比较快，且在某些应用场合是无法替代的。中国目前光伏发电的40%用于解决边远无电地区人民生活用电问题。作为可再生清洁能源的主要形式之一，光伏发电的发展得到了国家、地方各级政府的支持与扶持。光伏发电技术主要分为三代。第一代是晶体硅光伏电池，分为单晶硅和多晶硅，现在用得非常普遍，在我国其市场占有份额很大。第二代是品种繁多的薄膜电池，优点是材料用量少，缺点是转化率通常只有
科学与财富 2017年17期2017-06-16
- 单晶硅太阳电池工艺研究
，研究背腐蚀对单晶硅太阳电池工艺的影响。通过分析腐蚀后硅片表面形貌及电池电性能的变化，发现腐蚀降低了硅片表面粗糙度以及表面电子空穴复合速率；内量子效率中短波响应增强，开路电压和短路电流分别增加了2.1mV和26 mA。关键词：单晶硅；电池效率；背腐蚀；光谱响应中图分类号：TN914 文献标识码：A 文章编号：1671-2064（2017）05-0081-011 引言在目前的光伏行业中，硅基太阳电池仍然占据着主要地位。随着硅材料价格的持续快速下降，以及单晶电
中国科技纵横 2017年5期2017-05-12
- 隆基的单晶笃定
2016年，“单晶硅”这个词突然火了起来，虽然此时的光伏市场仍然攥在多晶硅的手上，但是风向的变化让人不得不开始重新审视单晶硅的价值。如果说协鑫是多晶硅片的帝王，那么隆基便是单晶硅片的代名词。不论国内多晶市场怎样好，隆基都不曾涉足多晶领域，一直笃定单晶，不断为单晶的技术进步和成本下降而努力。随着“领跑者”计划的推行，国家对于光伏技术和成本的要求开始提高，越来越多的企业开始追求更为高效的光伏产品，以期在接下来的市场竞争中占据先机。多晶虽然占据着大部分的市场，但
能源 2017年3期2017-04-19
- 单晶硅辐照退火装置温控系统设计与应用
要：本文依据单晶硅辐照退火工艺要求，针对退火装置温度控制的要求，设计一套温度控制系统，采用自适应模糊PID温度控制技术实现高精度的温度自动控制；设计相应的安全联锁电路以保证退火过程的安全性和有效性；通过对升温速率、恒温定值、恒温时间等参数的设置与修改，满足不同的温度控制要求，具有灵活的适用性，可广泛应用于相关的温控工艺中。经过系统调试与运行，调试结果满足使用要求，确保退火装置安全、可靠的运行和任务的完成。关键词：温度控制；PID控制；单晶硅DOI：10.
山东工业技术 2017年4期2017-03-28
- 对单晶硅太阳能电池生产工艺的研究
46000)对单晶硅太阳能电池生产工艺的研究王森涛 焦朋府 张 波(山西潞安太阳能科技有限责任公司，山西 长治 046000)文章主要对制绒、扩散制结、等离子边缘刻蚀、去磷硅玻璃、PECVD镀减反射膜、丝网印刷电极、烧结几种单晶硅太阳能电池的生产工艺展开了研究分析。单晶硅；太阳能；电池；生产工艺；研究在传统能源不断枯竭的背景下，作为新能源和绿色能源的太阳能受到了越来越多的关注。而在太阳能的利用中，太阳能电池是目前使用最为广泛的。由于单硅晶电池是目前在太阳能
化工管理 2017年11期2017-03-05
- 单晶硅太阳能电池的生产工艺
能源枯竭问题。单晶硅太阳能电池是一种将太阳能转化为化学能的有效装置。本文就单晶硅太阳能的生产工艺展开研究。【关键词】单晶硅 太阳能电池 生产工艺太阳能电池便是一种可将太阳能转化为电能的装置。硅太阳能电池是各种太阳能电池中性能较为优越的种类，其可靠性高、寿命长、成本低，其中又以单晶硅和多晶硅为代表，本文重点研究单晶硅太阳能电池。1 制绒制绒过程采用质量分数味20%碱液于80℃温度下对硅片进行表面处理，从而达到去除损伤层效果。腐蚀作用速度为6-10um/min
电子技术与软件工程 2016年20期2016-12-21
- 直拉法硅单晶中晶转对杂质含量的影响
凤艳【摘 要】单晶硅是半导体器件、集成电路以及太阳能电池片的重要原材料，对信息技术的发展及新能源光伏行业的发展有着至关重要的影响。直拉法是单晶硅生产制备的重要方法之一，其生长过程涉及到传热、传质等物理过程，同时涉及到化学反应等化学过程。其中生长过程中的晶转、埚转直接影响晶体生长过程中的温度分布、熔体对流，最终影响单晶中的杂质分布及电阻率分布等。本文以晶转、埚转为研究对象，分析其变化与单晶杂质、电阻率等品质的关系，以通过工艺调整，控制单晶品质。【关键词】单晶
大陆桥视野·下 2016年7期2016-12-15
- 单晶硅引领光伏产业走向更高效率、更高收益
者 ■ 包婧文单晶硅引领光伏产业走向更高效率、更高收益本刊记者 ■ 包婧文搭借SNEC展会的顺风车，西安隆基硅材料股份有限公司于5月24日在上海浦东嘉里大酒店召开了2016年隆基股份战略发布，吸引了众多业内人士和媒体的关注。该公司是全球最大的单晶硅光伏产品制造商，致力于为光伏和半导体产业提供高品质的产品和服务。钟宝申2015年，我国单晶硅的市场份额从5％增长至15％，有显著提升。单晶硅路线实现了革命性的成本突破，使系统投资更低；并且单晶硅高效率、高可靠、发
太阳能 2016年6期2016-09-23
- 金刚石飞切单晶硅的切削力模型及试验研究
00金刚石飞切单晶硅的切削力模型及试验研究闫艳燕王润兴赵波河南理工大学,焦作,454000摘要：首先对金刚石飞切单晶硅的加工特点进行分析，建立了未变形切屑厚度模型及材料去除类型的理论判定条件；然后推导出了适合金刚石飞切加工特点和单晶硅材料特性的数学预测模型；最后进行了切削力正交试验，并通过切削力试验值与模型计算值对比验证了切削力模型的合理性。同时根据试验结果总结了各主要加工参数(切深ap、进给量f、主轴转速n)及其产生的最大未变形切屑厚度hmax对切削力的
中国机械工程 2016年4期2016-06-23
- 掺杂单晶硅纳米梁的谐振频率特性∗
46)0 引言单晶硅技术是现代集成电路技术的基础，同时纳米硅也是制造NEMS的主要材料之一．纳机电系统（NEMS）已有许多重要的应用，如超大规模传感器[1−3]、参数反馈振荡器[4]、开关[5,6]等．从长期可靠性的角度来看，这些谐振器的振动特性和机械性能，如杨氏模量和谐振频率的研究是非常重要的，应该受到研究人员的重视．对于单晶硅材料的力学特性在实验、理论分析、分子动力学模拟等方面已经做了一些研究．已有的一些实验研究了硅纳米梁、纳米线等，基于连续介质假设方
新疆大学学报(自然科学版)（中英文） 2016年4期2016-05-16
- 氧化石墨烯在水合肼中对单晶硅织构化的影响
烯在水合肼中对单晶硅织构化的影响张会丹裴重华(四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地四川绵阳621000)摘要：单晶硅太阳能电池的表面反射率是影响其光电转换效率的重要因素之一，表面织构化对降低表面反射率有着重要作用。采用水合肼对单晶硅进行刻蚀，并采用不同氧化程度的氧化石墨烯作为碳催化剂对水合肼腐蚀体系进行催化，采用失重法、XRD、SEM和FTIR测试手段对反应产物进行表征。结果表明：氧化石墨烯的加入对水合肼体系起到了促进催化的
西南科技大学学报 2016年1期2016-05-07
- 新兴工业材料加工用金刚石工具
应用,并介绍了单晶硅、多晶硅和蓝宝石的加工流程和加工过程中用到的金刚石工具,其中重点介绍了金刚石圆锯片、高精度钻头、金刚石线锯、超细粒度金刚石砂轮和金刚石超薄切割片,最后就国内金刚石工具的发展趋势做了简单阐述。关键词:单晶硅;多晶硅;蓝宝石;砂轮;线锯1 前言我国金刚石工具的发展经历了地质勘探、石材和建材加工等传统的大发展阶段,其代表产品包括地质钻头、金刚石锯片、绳锯、框架锯等。随着技术的不断进步,以及国家对环保理念的不断普及,金刚石工具不断地进入新领域,
超硬材料工程 2016年2期2016-04-26
- 单晶硅片质量对太阳能电池性能的影响研究
33030)单晶硅片质量对太阳能电池性能的影响研究谢义(安徽电子信息职业技术学院， 安徽 蚌埠 233030)摘要：太阳能电池硅片的质量是影响电池片转换效率以及电池组件发电效率的一个关键因素。硅片缺陷的存在会极大地降低电池片的发电效率，减少电池组件的使用寿命，甚至影响光伏发电系统的稳定性。通过对单晶硅片质量进行检测，分析少子寿命、早期光致衰减以及位错对太阳能电池性能的影响及解决方案。关键词：单晶硅； 太阳能电池； 转换效率； 光致衰减； 位错近年来随着光
重庆科技学院学报（自然科学版） 2016年1期2016-03-24
- 微钻—单晶硅切削工具
敏摘 要：微钻单晶硅切削工具用于制造三维微形状工件。微钻是一个D形横截面，切削刃的半径为0.5μm的电磨工具（WEDG）。结果表明：实现切割延性域切削深度为0.1μm，间隙角大于0°，以防止在孔入口处断裂。最小的机加工的孔直径为6.7μm，这是最小的不只是在本研究中，也是迄今使用的最小切削工具钻孔。对半导体单晶硅滚磨加工技术是很好的促进。关键词：微钻 微型刃具 单晶硅中图分类号：TH161 文献标识码：A 文章编号：1672-3791（2014）09（b）
科技资讯 2014年26期2014-12-03
- 太阳能单晶硅位错的返切办法
要：根据太阳能单晶硅位错密度关键词：位错密度；位错返切前言太阳能单晶硅是光伏发电的主要材料，其位错密度是影响光伏发电效率的重要因素，本文对其位错密度的返切方法进行研究。1.实验部分1.1实验依据1.1.1太阳能单晶硅位错密度1.1.2位错迁移理论：单晶硅棒拉制后，由于热应力作用，尾部会产生大量位错，沿着单晶向上延伸，延伸的长度约等于单晶尾部的直径。2.实验根据位错迁移理论分别将太阳能单晶硅掉苞棒返切130mm、120mm、110mm，以其位错密度将单晶掉苞
中国机械 2014年24期2014-10-21
- 光伏市场回暖单晶硅突袭材料市场
验，同样瓦数的单晶硅光伏电池比多晶硅电池的发电效率高6%以上。”青岛隆盛晶硅科技有限公经理潘志明表示，国家鼓励分布式光伏发电，并对光伏发电实行度电补贴的政策，促使电站开发商更加关注电池的转化效率和经济效益，而单晶硅产品在这方面优势明显。千亿市场争夺路线决定收益自2013年起，国家不断出台鼓励光伏发电和并网的政策，并明晰电价补贴标准。2013年，我国新增并网光伏发电装机达11.3吉瓦，成为该年度全球最大的光伏发电市场。根据规划，2014年全国光伏新增装机目标
化工管理 2014年25期2014-04-04
- 光伏单晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片
光伏单晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片目前，由于单晶切片采用金刚线切片已成为趋势，中银国际预计，未来单晶硅片的成本下降速度快于多晶硅片，从而两者之间的价差亦进一步缩短。金刚线的特点是可以将硅片切的更薄且高效，金刚线切割速度是普通刚线的两倍，而且不需要特殊切割液，用水作为溶剂。同时金刚线直径小，线损低，可切割更薄的硅片。另外，单晶硅棒因其晶格有序的特性，可以实现金刚线切片的规模应用，促进硅片薄片化，对应每瓦硅片的硅料耗量将更低。随着电池技术的改进，更薄的硅
电子工业专用设备 2014年8期2014-03-24
- 晶盛机电拟投产单晶硅设备
晶盛机电拟投产单晶硅设备晶盛机电公司拟对部分募集资金投向进行变更。拟将“年产400台全自动单晶硅生长炉扩建项目”，变更为“年产100台单晶硅棒切磨设备项目”。根据公告，年产400台全自动单晶硅生长炉扩建项目总投资为13485万元。截至公告日，该募投项目累计使用募集资金5273.72万元，占项目投资总额39.10%，仍剩余募集资金8789.56万元。调整后，公司拟投资年产100台单晶硅棒切磨设备项目，新项目预计总投资15000万元，拟使用原年产400台全自动
有色设备 2014年5期2014-03-08
- 图像处理在单晶硅直径检测中的应用
200234)单晶硅是晶体材料的重要组成部分，以单晶硅为代表的高科技附加值材料及相关高技术产业的发展，已经成为现代信息技术产业的支柱。单晶硅的主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等，它作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，具有巨大的市场和广阔的发展空间。由于世界上许多国家已经掀起了太阳能开发利用的热潮，因此单晶硅正引起越来越多的关注和重视。直拉法单晶制造法生长具有生长速度快、晶体纯度高等优点，随着单晶硅片制造向大直径化发展，直拉法单晶制
电视技术 2013年5期2013-08-13
- 单晶硅电池技术与市场的博弈
硅电池市场又分单晶硅与多晶硅。相关数据显示，单晶硅与多晶硅的市场份额占比分别在30%～40%和50%～60%之间。单晶硅和多晶硅的区别在于当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的芯片，则形成单晶硅；如果这些晶核长成晶面取向不同的芯片，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面，如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。目前的硅基电池主要性能参数见表1。可以看出，单晶硅电池无论是在实验室转换
太阳能 2012年24期2012-09-11
- 单晶硅等效机械特性的实验研究*
张 旭，李 浩，肖定邦，侯占强，王兴华，吴学忠(国防科学技术大学机电工程及自动化学院，长沙410073)Single crystal silicon is the most commonly used material in the microelectromechanical systems(MEMS)because of its excellent mechanical properties.The accurate mechanical parame
传感技术学报 2012年8期2012-06-12