方阻
- 金属化膜电容器温升计算与优化
式中：ρ(x)为方阻；L为有效极板长度；c为极板宽度。电极的等效串联等效电阻ESR 为沿电容器宽度方向上，由于电极造成的功率分布可以表示为2 金属化膜电容器内部传热金属化膜电容器为卷绕结构，具有各向异性，轴向与径向导热系数存在明显差异。如图3 所示，电容器工作时，轴向方向上，热量通过薄膜、金属镀层、气隙并联通道传热；径向方向上，热量通过上述结构的串联传热[12-14]。图3 电容器导热系数各向异性Fig.3 Anisotropy of thermal co
电力电容器与无功补偿 2023年6期2024-01-10
- 银纳米线柔性透明导电薄膜的制备
下测试; 薄膜的方阻采用上海腾卓有限公司的Jandel 四探针方阻测试仪在室温下测试.1.3 银纳米线的制备采用多元醇法制备银纳米线: 取0.4 g PVP 加入含有40 mL 乙二醇的三口烧瓶中, 在160◦C 下使PVP 全部溶解; 再加入10 mg NaCl 和5 mg NaBr, 充分溶解, 通氮气除去反应体系中的氧气; 然后将20 mL 质量浓度为0.01 g/mL 的AgNO3乙二醇溶液滴加到反应体系中,2 min 后停止搅拌, 并停止通氮气;
上海大学学报（自然科学版） 2023年6期2024-01-09
- “SE+PERC”单晶硅太阳电池发射极方阻均匀性提升工艺的研究
，而发射极的片内方阻均匀性(下文简称为“方阻均匀性”)会直接影响其与后续工艺的匹配度，进而影响“SE+PERC”单晶硅太阳电池的电性能，尤其是对于采用高方阻扩散工艺的太阳电池而言，该影响将更为严重[7-8]。目前，扩散工序采用的设备有管式扩散炉和链式扩散炉两种，管式扩散炉凭借炉内清洁度高、形成的发射极质量高等优势成为工业化制备p-n 结的主要设备[9]。影响管式扩散炉形成的发射极方阻均匀性的因素主要包括设备和工艺两方面[7]。设备方面主要包括炉门密封性、恒
太阳能 2023年10期2023-11-03
- 基于铝浸润层的超薄银透明导电薄膜研究
膜，通过对银薄膜方阻及SEM 图像进行测量和分析，研究铝作为浸润层对K9 玻璃基底上银薄膜光学和电学性能的影响，确定铝浸润层的最佳浸润厚度，制备不同厚度银薄膜，研究0.4 μm～2.5 μm波段内超薄透明银导电薄膜的光学和电学性能。1 基本原理基底上薄膜生长通常遵循成核、聚结和厚度增长这3 个阶段。根据基底表面能(γs)、金属表面能(γm)和金属/基底界面能(γm/s)的强度将薄膜的生长模式分为3 种：岛状生长模式(volmer-weber)、层状生长模式
应用光学 2022年5期2022-11-03
- 微喷印原电池置换成型织物基柔性导电线路的影响因素研究
行观察，并测量其方阻值，研究不同沉积工艺条件对沉积成型银导线表面微观形貌及导电性能的影响。3.1 织物基导电线路喷射打印成型按照试验方案，利用搭建的压电式微滴喷射系统进行织物表面喷印银导线试验，通过调整沉积工艺参数，得到不同沉积工艺条件下成型银导线照片，如图4所示。图4 不同沉积工艺条件成型银导线由图4可看出，在表2试验条件下，均可通过喷印实现织物基银导线的沉积成型。图4(a)中，不同质量浓度硝酸银溶液下沉积的银导线外形基本相似，表面银层颜色随着硝酸银溶液
纺织学报 2022年10期2022-11-01
- LTCC 方阻浆料后烧特性的研究与应用
问题的办法。1 方阻浆料后烧特性电阻是LTCC 基板上重要的无源器件之一。电阻的精确度对基板的电性能有着极其重要的影响。在生产过程中发现，烧结后电阻与设计往往存在着偏差而且后烧后的电阻值变化过大。电阻值偏小的电阻可以通过激光进行微调整，但是电阻值偏大的电阻却没有办法进行调整。如何解决电阻值偏大的问题以及后烧电阻值变化过大的问题是本研究要解决的问题。烧结是影响电阻值的重要因素，目前使用的烧结曲线：排胶升温速率为0~450 ℃，1 ℃/min；排胶温度为450
科技创新与生产力 2022年5期2022-08-08
- 大尺寸PERC晶体硅太阳电池低压扩散 工艺的研究
低压扩散工艺对高方阻均匀性的影响；李吉等[3]研究了源流量、扩散时间、源瓶压力、真空泵压力等扩散工艺参数对扩散方阻的影响。上述文献均为166 mm以下尺寸的硅片为研究对象，而晶体硅太阳电池采用210 mm大尺寸硅片时，在扩散工艺中此类硅片的石英舟槽间距、截面温区分布、管内气流场分布与其他尺寸硅片存在很大差异。基于此，本文研究了扩散工艺中PERC晶体硅太阳电池采用210 mm大尺寸硅片时，炉尾温度、工艺压力、进气口与石英舟端板距离、快速降温等因素对硅片扩散方
太阳能 2022年7期2022-07-30
- 激光参数对“SE+PERC”单晶硅太阳电池电性能的影响
试验仪器有四探针方阻测试仪、扫描电子显微镜(SEM)、Mirco-Vu视觉测量仪、HALM电性能测试仪。1.2 试验样品及设计本试验采用p型直拉掺镓单晶硅片作为试验样品，尺寸为158.75 mm×158.75 mm，厚度为170 μm，电阻率范围为0.4～1.1 Ω·cm。在标准的“SE+PERC”单晶硅太阳电池生产线上，对硅片样品进行制绒清洗、扩散工序处理。SE激光掺杂设备采用苏州迈为科技股份有限公司生产的激光器，通过改变SE激光掺杂设备的激光功率、激光
太阳能 2022年7期2022-07-30
- 玻璃中PbO含量对太阳能电池正面银浆欧姆接触性能的影响*
究成果显著，在低方阻电池硅片上效率基本达到含铅玻璃浆料的效率，且具有较好的附着力、可靠性；但太阳能硅片一直在发展进步中，提高太阳能硅片的方阻是太阳能电池片提效的重要方式之一。从电池片发展历程中可见，硅片的方阻也确实在不断的提升，从最初的40～60 Ω/□的方阻，发展到85～130 Ω/□，现在甚至达到130～160 Ω/□，未来仍然会继续提升方阻达到提效的目的。在方阻的提升过程中，无铅玻璃体系的短板越来越显著，难以满足电池片的发展，为了适应高方阻电池片的市
功能材料 2022年5期2022-06-02
- 基于AgNW：HPMC嵌入结构的低粗糙度银纳米线透明电极性能研究
面积，降低薄膜的方阻和粗糙度。焊接法能有效降低银纳米线薄膜的方阻，但是对粗糙度的改善效果不明显。而将银纳米线旋涂在平滑衬底上后再通过剥离转移到目标衬底上，可以得到稳定性和粗糙度都很优异的导电薄膜［22-23］，但是剥离法对工艺操作要求较高，不适用于大范围推广。近年来，生物聚合物，如壳聚糖（Chitosan，Chi）、海藻酸钠、羟丙基甲基纤维素（Hydroxypropyl Methyl Cellulose，HPMC）等，因其具有好的成膜性、透明度、稳定性和绿
光子学报 2022年3期2022-04-01
- 丝网印刷和烧结工艺对陶瓷基复合材料微带天线膜层结构与性能的影响
膜层的微观形貌、方阻与附着力。采用矢量网络分析仪表征微带贴片天线的驻波性能。当印刷压力为90 N、离网间距为2.5 mm、印刷速度为90 mm/s时，银膜层的方阻最低，附着力最大。当烧结温度为850 ℃、保温时间为15 min时，银膜可以获得最好的致密结构和导电性，此时方阻为5.4 mΩ/□，附着力为2.25 N/mm2。在上述印刷和烧结工艺条件下制作的天线板，其常温中心频点为1.869 GHz，与设计中心频点（1.86 GHz）的吻合度较好。丝网印刷工艺
表面技术 2022年3期2022-03-31
- 抗PID多晶硅电池的磷扩散工艺改进
次通源扩散工艺，方阻一般在85 Ω～90 Ω左右。但增加方块电阻会加剧电池片的PID效应，且方块电阻均匀性较差，导致电池产品的品质下降[11，12]。本文结合工业生产实际，通过对磷扩散工艺的优化调整寻求PID 问题的解决途径和预防措施。研究一种新的三次通源扩散工艺，调整通源时间、推进时间和温度等工艺参数，可以在较低方阻(70 Ω～75Ω)下获得高效率，并获得较好的抗PID效果。2 实验部分2.1 原料和试剂6英寸(156 mm×156 mm)p型多晶硅电池
江西化工 2022年1期2022-03-19
- 镀银导电纱的分布对织物电热性能的影响
值。1.3.2 方阻 将待测织物试样放在RTS-8四探针测试仪上，电流量程设置为10 μA。每块织物试样测试10次并记录测试结果。1.3.3 电热性能 在温度为(20±2) ℃、相对湿度为(50±3)%的环境下，将织物的两端连接在DP310型直流稳压电源的2根导线夹子上，施加直流电压，使待测试样产生热量，使用TIX640热红外成像仪实时观察导电织物在不同电压下，温度随时间的变化。2 结果与讨论2.1 导电纱电阻随机选取5根涤纶镀银纱，将其两端固定并放在绝缘
纺织高校基础科学学报 2021年4期2022-01-26
- 新能源太阳电池材料评估方法研究
用于产线上的硅片方阻测试方法的要求是无损伤测试，即无电学、光学损伤。往往太阳电池功率测试工作中发现太阳电池实际功率和理论功率相差甚远的情况下，要对太阳电池各个工艺环节进行排查，硅片方阻检测是必须考虑的检测环节，方阻检测数值能够反映电池片制备过程中和方块电阻变化相关的工艺情况。所以真实客观地对硅片方块电阻进行测试尤其重要。一、引言近年来我国新能源行业发展迅速，这一结果使得我国在能源领域的地位得到一定提升，光伏发电作为新能源领域重要一部分当然也不甘落后，从原材
区域治理 2021年41期2021-11-12
- PERC单晶硅太阳电池EL图像边缘发黑 原因的研究
后太阳电池的扩散方阻；采用东莞威森智能科技有限公司生产的型号为PLVL1000的离线PL检测机进行太阳电池的PL测试；采用美国PV Measurements公司的型号为QEX10的量子转换效率量测系统测试成品太阳电池的量子效率(QE)；采用美国Sinton公司的型号为WCT120的测试仪测试成品太阳电池的Suns-Voc和伪填充因子pFF；采用德国PV-Tools公司的接触电阻测试仪TLM-scan测试成品太阳电池的横向电阻；采用日本电子公司的JSM-65
太阳能 2021年10期2021-11-03
- 纳米银线透明导电膜耐UV保护层应用性研究
由于高透低雾、低方阻、可折叠、高性价比、性能稳定的特性，被业内公认为可以与大尺寸和柔性折叠市场实现无缝对接的最佳材料，行业发展迅速，纳米银线透明导电膜销量逐年增长。伴随着纳米银线透明导电膜在市场大规模化应用，一些质量问题得到暴露和聚焦，市场最担心的还是耐UV性能不足引起的触控功能丧失问题。耐UV性能不足在生产过程中不易发现，常规的老化检测至少需要500小时以上，然而在规模化生产过程中不可能每一批都进行500小时老化检测。耐UV性能不足引起的触控功能丧失问题
信息记录材料 2021年10期2021-10-25
- 基于银纳米线的柔性电极
学和光学性能，其方阻可低至10～20 Ω/sq，光学透过率高达80%～90%[8]．此外，银纳米线电极可通过溶液的方法制备，制备方法简单、易操作[8]．LI等[8]采用涂布方法制备出方阻约10 Ω/sq、透过率高达91%的银纳米线透明导电薄膜，但所采用的涂布设备昂贵，方法涉及的工艺参数较多，工艺繁琐．YE等[9]通过旋涂方法制备银纳米线-石墨烯复合薄膜，其方阻为14.9 Ω/sq，透过率为88.2%，并基于此电极构建有机太阳能电池．但旋涂法不适合制备大面积
深圳大学学报（理工版） 2021年5期2021-09-23
- AgNWs/PEDOT：PSS电极的丝网印刷制备及其电化学性能研究
的性能相对最佳，方阻为2.01Ω/sq；观察图1(b)可得，15 min时电极的性能相对最佳，方阻为2.05Ω/sq；观察图1(c)可得，160℃时电极的性能相对最佳，方阻为1.37Ω/sq；观察图1(d)可得，35 MPa时电极的性能相对最佳，方阻为1.76Ω/sq。图1 结果图为进一步测试该电容器的性能，测试了电容器的CV曲线和GCD曲线，曲线如图2所示。观察图2(a)可知，在不同的扫描速率下，曲线仍呈现饱和封闭的形态，证明了其具有优秀的速率响应性能；
电工材料 2021年4期2021-09-09
- 含频率选择表面耐高温吸波涂层的高温吸波性能
料，表面周期结构方阻的变化将会对材料吸波性能产生巨大的影响[16-17]。因此研究并调控涂层导电性能尤为重要。对厚度均为70 μm的陶瓷涂层分别在600 ℃、800 ℃、900 ℃、1 000 ℃热处理2 h并进行表面方阻测量，图5为不同热处理温度2 h后涂层表面方阻随热处理温度的变化曲线。由图5可知，600 ℃和800 ℃下获得材料的表面方阻分别为97.0 Ω/□和261.9 Ω/□，涂层表现出良好的导电性能。当煅烧温度增加时，方阻呈现逐渐增大的趋势。结
硅酸盐通报 2021年7期2021-08-11
- 聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/棉复合织物的制备及性能
物。1.3 测试方阻：采用表面电阻仪与电阻率计进行测量，方阻R□=ρ/d。其中，ρ为电阻率，Ω·cm；d为复合织物厚度，cm。每个样品测10个不同位置，取平均值。增重率=（m1/m2-1）×100%，式中，m1为PEDOT/棉复合织物的质量，g；m2为棉织物的质量，g。2 结果与讨论2.1 浸渍烘干法工艺对复合织物导电性能的影响2.1.1 浸渍次数由图1 可以看出，随着浸渍次数增加，织物表面沉积的导电聚合物增多，方阻降低，导电性能提升。浸渍烘干3 次方阻最
印染助剂 2021年6期2021-08-03
- 不同形貌纳米颗粒银粉的引入搭配对导电银浆电性能的影响
粉搭配对导电银浆方阻的影响，制得性能优良的导电银浆。1.实验(1)导电银浆的制备本实验采用纳米球状银粉、微米球状银粉、片状银粉、有机载体，混合辊轧多遍得到所需的导电银浆。所用银粉和玻璃粉粒径如表1所示。将银浆通过目丝网印刷在素片上自然流平，然后放入真空干燥箱，最后分段进行一、二次烧结保温，得到导电银膜。表1 球状银粉和片状银粉的性能指标(2)性能测试用刮板细度计测试银浆的细度，使用BROOKFIELD DV-Ⅱ+Pro粘度测试仪测量浆料粘度并计算其触变性，
当代化工研究 2021年12期2021-07-08
- 穿戴式发热平面电阻膜封装系统设计
定的合理性。2 方阻测定与计算电阻膜的材料、工艺、膜厚确定之后，任意尺寸正方形平面膜上电阻值相同，是一个恒定值。方阻代表了电阻膜的发热能力，也就是做功能力。同类成膜材料、工艺和膜厚，可以快速摸底，形成经验值。电阻膜方阻的测定和计算公式如下：式中，Rs为电阻膜的方阻，单位：Ω/□；Rx为电阻膜的电阻值，单位：Ω。3 热平衡温度测定与计算电阻膜封装系统确定之后，其电热转换效率将维持在一个稳态数值，《GB/T 7287-2008 红外辐射加热器试验方法》电-热转
信息记录材料 2021年3期2021-05-12
- 银复合棉织物的制备及导电性能研究
度对银复合棉织物方阻的影响。结果表明：在反应条件为硝酸银质量浓度1.5mg/mL、反应温度80℃、还原反应时长60min、还原剂质量浓度1.5mg/mL、浴比1∶50时，能够得到具有良好导电性能的银复合棉织物，此时方阻最低可达45Ω/sq，具有作为导电材料使用的潜力。关键词：棉织物;硝酸银质量浓度;化学还原法;方阻;导电中图分类号：TS143.2文献标志码：A文章编号：1009-265X（2021）01-0041-06Abstract：Silvercomp
现代纺织技术 2021年1期2021-05-07
- 硼扩散工艺对多晶黑硅效率的影响分析
扩散工艺下进行的方阻梯度变化情况。结果表明：多晶黑硅在背面硼扩散方阻280Ω左右的条件下，电性能最佳，方阻过高或过低均不利于电池片光电转换。【关键词】 多晶黑硅;硼扩散;多步扩;方阻;转换效率【中图分类号】 TD32 【文献标识码】 A 【文章编号】 2096-4102（2021）01-0100-031引言目前在晶硅太阳能产业链中，由于硅片的切割技术已由原本的砂线切割改为金刚线切割，单晶硅硅基电池以其技术路线成熟效率高的特点已逐渐在市场占有率上高于多晶硅。
山西能源学院学报 2021年1期2021-03-24
- 银粉对导电银浆表面微结构及导电性能的影响实践
仪检测固化膜样品方阻大小，采用拉力测试仪对银浆固化膜附着力机械进行检测。2 结果1#、2#、3#、4#银粉在扫描电镜下的微观形貌如图1所示。图1 四种型号银粉扫描电镜图从银粉扫描电镜图中可以得到明显的银粉微观形态，1#银粉颗粒形状不规则，存在少量团聚，粒径分布较宽；2#银粉颗粒形状不规则，有少量团聚，粒径分布比1#银粉颗粒稍微均匀；3#银粉颗粒形状规则，呈球形，大小尺寸没有较明显差距，没有发现团聚，颗粒分散性好；4#银粉颗粒形状不规则，粒径分布间距宽，有少
电子元器件与信息技术 2021年1期2021-03-12
- 透明导电薄膜（Ⅳ）：石墨烯透明导电薄膜
超薄的石墨烯薄膜方阻低、延伸率高，在柔性可挠曲基体表面具有应用潜力，是一种“新型功能材料”。本文详细介绍石墨烯薄膜结构及其性质，全面阐述以PET为衬底的TiN/石墨烯/PET薄膜、ZnO/石墨烯/PET薄膜、GaN/石墨烯/PET薄膜，以PI为衬底的PI/石墨烯/ZnO薄膜和石墨烯/Ag纳米线薄膜的研究进展。1 石墨烯结构及性质一直以来，人们认为自然界只有金刚石和石墨两种碳的同素异形体，直到1985年，Sir和Richard制备出零维富勒烯（Fullere
辽宁科技大学学报 2021年5期2021-03-03
- T/R组件LTCC基板埋置电阻精确控制 ①
现，电阻浆料实测方阻与标称方阻往往存在差异。根据厂家提供的技术条件，对两种典型材料体系的新到电阻浆料方阻进行测试，结果如表1所列，部分电阻的实测与标称方阻接近，但有一部分电阻的实测方阻与标称方阻的偏差极大，甚至超过了50%。因此，原材料的实测方阻与标称方阻差异会对电阻的加工精度造成极大的影响。表1 电阻方阻实测值同时，实测方阻与浆料的使用情况也有关系，随着电阻浆料使用频次增加或时间延长，玻璃相与钌化物的比例会逐步发生变化，因此电阻率也会发生变化，表现出来的
空间电子技术 2021年6期2021-03-01
- 烧结温度对背钝化电池用银浆性能的影响
金属浆料测试方法方阻测定标准》，采用RTS-8型四探针测试仪（广州四探针科技有限公司）表征样品的方阻。2 结果与讨论2.1 烧结温度对背面银浆致密性的影响分别在700℃、750℃、800℃、850℃、900℃的温度下烧结背面银浆，相应制得T1、T2、T3、T4、T5样品，研究了不同烧结温度对背面银浆致密性的影响。同时采用扫描电镜对样品的微观形貌进行表征，图2为烧结后的背面银浆样品SEM。图2 烧结后的背面银浆样品SEM从图2可以看出，随着烧结温度的升高，T
电工材料 2021年6期2021-01-02
- AgNWs-rGO复合透明导电薄膜的制备及其稳定性研究
Ws-rGO薄膜方阻。所有操作及测试于常温下进行。图1 AgNWs-rGO透明导电薄膜XRD图Fig.1 XRD pattern of the AgNWs-rGO thin films2 结果与讨论如图1所示为透明导电薄膜的XRD图谱，扫描角度为 15-60 °。由标准卡(PDF#41-1487(Graphite-2H).txt)对比可知，图中于23 °出现的 1峰为rGO的XRD特征峰，表明hummer´s法还原GO的过程中，rGO不可避免地出现堆积的情
陶瓷学报 2020年1期2020-10-13
- 扩散方阻对单晶PERC电池电学性能的影响
的监控指标是扩散方阻，在生产线，方阻测试通过测试5点(硅片中心+4个角)实现，除了方阻阻值的指标，还需要考虑方阻的均匀性。方阻控制的均匀性通过公式(1)来表征：(1)M值越大，说明方阻均匀性越差，反之M值越小，扩散方阻均匀性越好[3]。影响方阻控制的主要因素有扩散时间、扩散温度、及气体流量。本文通过实验设计，对各项因素变化导致电池的电学性能变化进行测试，分析各项因素参数变化对单晶PERC电池转换效率等电学性能指标的影响。2 实验部分2.1 实验原料及设备单
山西化工 2020年2期2020-05-29
- 紫外线辐照聚吡咯/银导电涤纶织物的制备
6型手持式四探针方阻测试仪，泉州锋云检测设备有限公司；SU1510型扫描电子显微镜，日本日立公司；D2-PHASER 型X射线衍射仪，布鲁克科技有限公司；YG401G型马丁代尔仪，宁波纺织仪器厂；LP-GDZJ型紫外灯，广州朗普光电科技有限公司；JB-6型磁力搅拌器，厦门瑞比精密机械有限公司。1.2 PPy/Ag导电涤纶织物的制备1)取涤纶织物若干，在3 g/L氢氧化钠溶液中于70 ℃处理30 min，去除织物表面油污和杂质，去离子水清洗后于60 ℃烘干。
纺织学报 2020年4期2020-05-08
- 高导电性聚吡咯涂层织物的制备
物时，织物的表面方阻可以达到730 Ω/□。Romero等[5]首先利用小分子的磺酸改性丝织物，使织物表面带负电荷，通过静电引力可以吸附更多的吡咯单体，聚合后丝织物的表面方阻可降至100 Ω/□，且磺酸类掺杂剂使制备的导电织物的环境稳定性得到提高。实际上，聚吡咯的导电性能是一个很复杂的问题，聚合时采用的实验参数会对合成聚吡咯的导电率产生一定的影响。合成时单体浓度、氧化剂浓度、温度、时间以及掺杂的反离子等，都会对聚吡咯的导电性质产生影响。目前用传统的原位聚合
纺织学报 2019年10期2019-10-29
- 织物电极监测心电信号与穿戴压力作用机制分析
试。2.3 织物方阻与压力的关系测试在可穿戴心电监测服装中，穿戴压力会使织物电极的内部结构发生变化，影响织物的导电性能。导电织物的方阻是导电织物导电性能的重要评价方法，本文采用RPM-440g型薄膜压力测试仪(上海瑞若测控公司)和DMR-1C型方阻仪(南京达明仪器有限公司)，在测试压力对导电织物方阻影响时，材料放置顺序如图4(a)所示，从下到上依次为薄膜压力传感器、导电织物、四探针方阻仪(导电织物受压部分为1 cm2)。测试时，将方阻仪探头与薄膜压力传感器
纺织学报 2019年9期2019-10-09
- 石墨烯复合棉织物的制备及其电学性能研究
墨烯复合棉织物的方阻并进行数据处理，得到制备工艺与织物方阻之间的关系[6]。手持式四探针测试仪使用之前要先根据织物大小修正系数，选定测量模式再进行测量。2 结果与讨论2.1 扫描电镜棉织物浸渍-还原处理前、后表面形貌如图1～图3所示。图1 未经处理棉织物图2 1.5 g/L氧化石墨烯浸渍并还原后棉织物图3 2.5 g/L氧化石墨烯浸渍并还原后棉织物图1为未经处理的棉织物在扫描电子显微镜下放大200倍和1 500倍的图片，可以看到所用棉织物是由纤维束集合而成
棉纺织技术 2019年4期2019-04-10
- 光刻法图案化石墨烯研究
细化程度、石墨烯方阻等问题同样严重制约着石墨烯在显示领域的应用[2]。而随着石墨烯的研究持续升温，新发现不断涌现，对石墨烯制备、性质研究的不断深入，其应用领域也在不断扩大。本文从石墨烯材料的光刻法图案化工艺出发，对其工艺过程和方阻升高的改善方案进行介绍和分析，结合相关产研资讯，希望能够给读者清晰的技术概念[5]。2 石墨烯的性质2.1 石墨烯的物理性质在石墨烯的众多物理性质中，其电子性质被研究得最为深入。石墨烯具有非常独特的电子性质，与其他已知的凝聚态体系
液晶与显示 2019年1期2019-03-18
- 多晶电池二次扩散工艺研究
片在扩散前不同的方阻值，优化不同的扩散配方达到提升转换效率的目的。2 实验结果分析2.1 方阻值为95 Ω～120 Ω的二次扩散配方优化图1为方阻值为95 Ω～120 Ω硅片经原扩散配方后在湿法切边出现的黑边和不良亲水性现象。推测是由于扩散推进阶段的含氧量为零，使硅片表面的亲水性氧化物磷硅玻璃[2](P2O5)量较少，从而导致湿法切边水膜不能完全覆盖于硅片表面，致使刻蚀槽液体翻液形成黑边。同时由于通氧量过低，使经酸洗槽清洗过后的硅片表面亲水基团较少，从而导
山西化工 2018年6期2019-01-25
- 纳米银导电墨水的制备及导电性研究
公司)测试样品的方阻。2 结果与讨论2.1 纳米银特点图1给出实验制备的纳米银XRD谱和SEM照片。从图1(a)可见纳米银颗粒具有面心立方结构,五个特征衍射峰分别对应标准银的(111),(200),(220),(311),(222)晶面,无杂峰,晶格常数a=0.40865 nm。与标准JCPDS04-0783卡片比较a=0.40862 nm,非常接近。从SEM照片可见,纳米银颗粒主要是类球形,平均颗粒尺寸50 nm左右。有个别大颗粒及团聚体存在,分析认为是
电子元件与材料 2018年11期2019-01-04
- 扩散轻掺杂方块电阻的均匀性研究
不同设备制备的高方阻硅片的片内均匀性，并且在均匀性对电性能的影响。扩散方块电阻的均匀性对太阳电池的电性能至关重要，不仅影响到电池的转换效率，还影响到电池效率的分布，为解决轻掺杂区方块电阻的均匀性这个难点，需要使用低压扩散设备，对扩散时间，气体流量和工艺压力进行调节，然后进行工艺制作，会得到均匀性较好电性能的电池片。引言：目前，光伏行业竞争激烈，提高太阳能电池的转换效率是提高行业竞争力最主要的方法之一。另外，光伏“领跑者”计划对电池及组件的要求越来越高，也要
电子世界 2018年21期2018-11-22
- 水热法合成铜纳米线的制备及其性能研究
能保持稳定，但其方阻都相对较大，并不适合太阳能电池、OLED等电流驱动的设备[7]；由于制备手段限制，Cu-Ni金属膜材料由纳米颗粒组成，在电子的传输过程中会发生大量的散射从而影响材料整体的导电性能[8]；导电高分子材料，其导电性和透光性不能同时兼得，且其耐热耐腐蚀性较差[9]；银纳米线材料，有较高的导电性和和透光性，机械性能优异，但往往需要高温处理降低接触电阻来提高电极性能，电极粗糙度较大[10].铜纳米线材料，具有很好的导电性和光透过性，机械性能好，制
西北师范大学学报（自然科学版） 2018年2期2018-05-30
- 导电银浆的制备和性能研究
用DMR-1C型方阻仪（南京达明仪器有限公司）测试样品的方阻。采用百格测试来检测导电银浆的附着力情况。采用HITACHI S-4500场发射扫描电子显微镜( 日本，日立公司,SEM)研究烧结后银颗粒的形态和分布状态。2 结果与讨论2.1 烧结温度对电极方阻和附着力的影响图1给出烧结温度分别为550，570，580，600，620和650 ℃，保温时间均为10 min条件下，样品的方阻和附着力。从图1可见，随着烧结温度的升高样品的方阻先下降后升高，附着力先增
电子元件与材料 2018年4期2018-04-24
- 单晶硅太阳电池高阻密栅工艺的研究
静 张东升扩散高方阻匹配密栅丝网印刷工艺是提升单晶硅太阳电池效率的主要方向之一，高方阻，即浅结扩散能够减少“死层”，密栅网版缩窄了金属栅线的间距以减少发射区电池横向移动的复合，同时，增加了副栅线总面积，提高填充因子FF，最终达到提升电池效率的目的，本文通过对比三种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度。分析高方阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明：方阻为85Ω/□的发射区电池转换效率提高了0.1%。单晶硅 电池效率 高方阻 金属栅线从市场上所使用的半导体材料
电子技术与软件工程 2017年14期2017-09-08
- 晶硅太阳电池低压扩散工艺优化研究
低压扩散工艺；高方阻；均匀性PN结是晶硅太阳电池的核心，制备均匀性好的高方阻发射极不仅可以降低前表面复合，提高开路电压；而且可以较大程度地提高短波的光谱响应，增大短路电流。目前，高方阻电池匹配的银浆已取得突破，解决了因方阻值高产生的串联电阻过大和发射极易烧穿的问题，提高发射极的方块电阻及均匀性已成为提高电池效率的重要手段。1 晶硅太阳电池扩散工艺原理制备PN结是晶硅太阳电池生产中最基本、最关键的工序之一。工业生产中，制备PN结的专用设备为管式扩散炉。管式扩
电子工业专用设备 2017年3期2017-07-31
- 多晶硅酸制绒工艺对扩散方阻均匀性的影响
酸制绒工艺对扩散方阻均匀性的影响王森栋， 白 翔(山西潞安太阳能科技有限责任公司，山西 长治 046000)针对多晶太阳能电池片生产工艺中的扩散炉管间方阻均匀性问题，主要从酸制绒工艺的刻蚀深度及刻蚀反应温度2个方面对问题进行了分析。结果表明，刻蚀深度在(3.6±0.2)μm，温度控制在5.5 ℃～7.5 ℃，0.2 μm的刻蚀偏差调整扩散温度1 ℃，可以减少各个批次间的方阻偏差，从而提高电池片转换效率。方阻均匀性；酸制绒工艺；刻蚀深度；刻蚀温度引 言提高太
山西化工 2017年3期2017-07-19
- 多晶硅电池工艺对组件衰减影响的研究
的接触电阻、扩散方阻不均匀引起的功率损失、电池片边缘摩擦后引起边缘短路等。本文主要研究扩散方阻不均匀与电池摩擦的电学损失。扩散方阻不均匀是指扩散之后，硅片出现部分扩散不到区域，此区域方阻值较大，容易造成漏电过大和电池片串阻过高。接受光照时，因方阻不均匀，电池片方阻较小区域容易发热过高，导致电池片温度升高，继而引起效率降低。图2、图3为扩散不均匀硅片与EL图像。方阻偏差较大 方阻均匀方阻偏差较大 方阻均匀摩擦功损主要存在于使用湿法刻边工艺的电池片中，电池片经
山西化工 2017年2期2017-05-18
- Effect of particle size of near-sphere gold powder on microstructure and cambering of Au-metallized low temperature cofired ceramics
翘曲度及各浆料的方阻。实验发现采用大粒径的类球形金粉有利于减小瓷片的翘曲度，但烧结膜层致密性变差，方阻也变大。金属材料；低温共烧陶瓷；近球形金粉；翘曲; 粉体粒径；致密度（编辑：唐斌）TM241A1001-2028（2017）03-0007-0410.14106/j.cnki.1001-2028.2017.03.0022016-11-21LUO HuiFundation：The Fund of the State Key Laboratory of Adv
电子元件与材料 2017年3期2017-03-30
- 微滴喷射打印银导线基础研究*
沉积成形银导线的方阻进行测量及微观形貌分析。结果表明，利用高速摄像机，获得了两种材料微滴成形的完整动态过程及形态变化；方阻测量结果表明，随着沉积序列次数的增加，银导线方阻的平均值由2.659 Ω/□降低到0.045 Ω/□，方阻的标准偏差由2.563 Ω/□减小到0.022 Ω/□；不同沉积序列次数成形导线SEM照片显示，随着沉积序列的增加，银导线内部孔洞减少，银微粒数量增加。按需喷射；微滴；沉积成形；银导线0 引 言微滴喷射技术是一种在喷墨打印技术基础上
功能材料 2016年11期2016-12-09
- 基于轴对称四边形薄导体模型的电阻估算法
之间的电阻等于其方阻。以该结论为依据，得到了一种以近似划分为手段的薄片电阻估算法。作为实例，将该方法应用于L型薄片电阻的估算，并对这种估算的有效性和精确性进行了分析和讨论。关键词：电阻估算；薄片电阻；方阻0引言薄片导体材料在现今的生产生活中并不罕见。对于形状不规则的薄片导体的电阻，求得解析解往往比较困难。要精确求解往往采用实验模拟法获得或利用软件进行数值求解。然而这些方法较为繁琐，因此对精度要求不高的场合，也可用估算的方法。此前已有一些估算法，如利用圆弧导
电气电子教学学报 2016年1期2016-04-23
- 基于田口法的在玻璃基板上溅射ITO薄膜制作工艺研究
，质量目标设定为方阻，以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件，并测量膜厚、透光率。以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质。结果显示功率对方阻的影响最大，贡献度占91%，而功率大，薄膜厚度越厚，晶粒粒径较大，结晶性较强，方阻减小及透过率降低。由于结晶性好也提高透光率，膜厚100～300 nm时，透光率80%以上。最优工艺参数为温度230 ℃、功率300 W及压力在1.5 mTorr下有方阻最小。氧化铟锡(ITO)；田口法；溅射0
长春工程学院学报（自然科学版） 2016年4期2016-02-15
- 银纳米线透明电极的成膜及后处理综述
(T)下，该材料方阻(Rs)小于100 Ω/sq[9-10]，透光导电综合性能优异。ITO 膜的主要缺点是综合成本较高[11]且柔性差[12]等。近年来，几种材料进入了人们视野并有望替代ITO，如金属栅格[13]、纳米金属线随机网格[14-15]、石墨烯导电薄膜[16-18]和单层碳纳米管网格[19-21]等。其中银纳米线(AgNW)随机网格具有更大的成本优势和应用前景。AgNW 透明电极是由银纳米线随机网格构成的导电膜层，膜层中银纳米线随机网格如图1所示
贵金属 2016年3期2016-02-13
- LTCC集成电阻的精细控制
为电阻值，Rs为方阻值，L为电阻长度，W为电阻宽度。再根据电阻公式，其中，ρ为材料电阻率，d为印刷电阻的膜厚。由公式（1）和公式（2）相比可得：对于相同材料而言，可以认为其电阻率ρ为固定的，所以，由公式（3）可知，印刷电阻材料的方阻值与印刷得到的电阻膜厚成反比。实验中，膜厚测量采用Cyber Voltage激光测厚仪测量印刷干燥后的电阻膜厚d。对于不同的印刷工艺，其印刷干燥后电阻浆料的膜厚不同，具体对应数值如表1所示。表1 不同印刷工艺下的电阻膜厚实验中，
电子与封装 2015年12期2015-10-29
- 涤纶基铜层表面化学镀镍–磷合金工艺
1.4.1 表面方阻采用南京达明仪器有限公司的DMR-1C 型方阻仪测织物的表面方阻(Rsq)，在样品不同部位分别测10 次，取平均值。1.4.2 增重率化学镀镍磷合金织物的增重率可按式(1)计算：式中w 为化学镀镍磷织物的增重率，%；m1为化学镀铜织物的质量，取平均值为0.423 6 g；m2为化学镀镍磷后织物的质量，g。1.4.3 结合牢度参考标准GB/T 5270–2005《金属基体上的金属覆盖层 电沉积和化学沉积层 附着强度试验方法评述》中的弯曲法
电镀与涂饰 2015年5期2015-06-17
- TiN/Si3N4复合材料的磁控溅射制备及其电性能研究
试仪对薄膜进行了方阻随厚度变化的分析，表明薄膜的厚度对薄膜的电性能有很大的影响。关键词:TiN；Si3N4；厚度；方阻Si3N4基陶瓷在非金属陶瓷家族中占有非常重要的位置。由于Si3N4具有很多的优异性能，例如耐高温、耐腐蚀、热稳定性、高硬度以及化学稳定性等，决定了其在冶金、机械、化工、建材等领域有着比较广泛的应用[1]。TiN薄膜也具有很多非凡的特点，比如高硬度、优良的摩擦磨损性、良好的生物相容性以及化学稳定性，这也使得其在很多领域受到了广泛的关注[2]
现代技术陶瓷 2015年1期2015-03-11
- 光伏电池片生产中排除扩散炉故障的实验研究
4-2对比，同样方阻控制在55Ω，DF4-2温度只需 840℃左右，小氮流量需要1220 mL/min，而DF4-1温度则需要870℃左右，小氮流量则需要1650 mL/min。如此差异巨大的参数才能达到扩散方阻的阻值基本相同，扩散过程中显然出现了异常。1.2 生产中经常出现的问题如果按照常规生产中的扩散程序，将DF4-1与DF4-2炉管设置相同的参数，DF4-2炉管的产品符合技术质量要求，而DF4-1的产品存在以下问题：1）DF4-1需异常高温和磷源量才
机械工程师 2015年8期2015-02-18
- 基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究*
仪测试硅片的表面方阻[12]，与没有氧化没有扩散的裸片的方阻进行比较，见表2。表2 不同组别的硅片的方阻值Table 2 Sheet resistance in different group组别温度硅片1Ω/□硅片2Ω/□硅片3Ω/□平均值Ω/□1扩散前107108 8109108 2扩散后20 320 120 120 22900℃8579 590 685 13930℃107 6108 191 3102 34960℃107 9106 6107 2107
中山大学学报(自然科学版)(中英文) 2014年5期2014-03-23
- 产业化晶硅太阳电池串联电阻研究
，同时，固定扩散方阻为80½/。保证除电极自身体电阻外，其余各串阻分量均保持一致。对细栅自身串阻，主要通过网版开口(43µm和38µm)，及网版乳胶膜厚(15µm和20µm)差异进行调整。(4)正面发射极横向电阻研究。保证扩散方阻一致，通过改变电极栅线根数完成横向电阻变化。(5)发射极结区金/半接触电阻研究。保证正电极图形完全一致，仅通过改变扩散方阻来获得不同的金/半接触电阻。(6)测试。对每组实验电池片，均按常规晶硅太阳电池制造工艺完成电池片的制备；电池
太阳能 2013年9期2013-10-22
- 不同溅射气体对a-IGZO TFT特性的影响
表面粗糙度、表面方阻以及膜层结构。采用Keithley 2635和Keithley 2420组成的测试系统进行TFT特性测试。此外，实验中截取新鲜的IGZO靶材截面，分别采用Ar、N2、O2等单组份气体进行溅射处理0.5 h，其它工艺条件与制作IGZO薄膜时的相同，然后采用AES对靶材轰击面进行成分测试，并与相同条件下制作的IGZO膜进行对比分析。2 分析和讨论采用不同的单组份气体制作的IGZO-TFT，沟道表现出不同的转移特性(如图1)。在退火前，Ar-
电子器件 2012年2期2012-12-28
- 溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究
之后ITO薄膜的方阻变化显著，随着掺Sn量的增加薄膜的方阻迅速减小。但当掺Sn量大于5%后，薄膜方阻随掺Sn量的增加变化缓慢。在掺Sn量为15%左右时，薄膜的方阻对应一个最小值(7.4 kΩ/□)，继续增大掺Sn量到20%后，薄膜的方阻略有上升。实验所得的结果与M.J.Alam等人[9-10]的研究结果相近。ITO薄膜的导电性主要取决于两个参数：载流子浓度和载流子迁移率。在ITO薄膜中的载流子主要是自由电子，而自由电子主要来源于本征缺陷和施主掺杂。本征缺陷
电子器件 2010年1期2010-12-21
- 磁控溅射氧化钛薄膜在不同溅射温度下的光电性能研究*
表面形貌，膜厚，方阻， TCR，载流子浓度，迁移率，紫外可见光波段内的吸收和透射等。在本实验中，表面形貌由扫描电子显微镜(SEM)测得，薄膜厚度由XP-200型台阶仪测量测得，方阻和TCR由SX 1934(SZ-82)型数字式四探针测试仪和TES1310型温度计测量并计算得到，载流子浓度和迁移率由HMS3000型霍尔效应测试仪测量得到，在紫外可见光波波段内的透射和吸收由UV1700型紫外可见光分光光度计测量得到。采取合适的溅射温度工艺，可以制备得到合适的氧
电子器件 2010年5期2010-12-21
- 热喷涂法制备Sb掺杂的SnO2薄膜
度对SnO2薄膜方阻及膜结构的影响，以期为制备高性能的SnO2薄膜提供理论依据.1 实 验1.1 样品的制备实验所用原料为SnCl4·5H2O(CP)、SbCl3(CP)和纯度为99%的酒精.先将SnCl4·5H2O溶于一定量的无水乙醇中，并在65 ℃搅拌2 h ,使其完全溶解，浓度为0.4 mol/L；再将SbCl3溶于无水乙醇中，搅拌使其完全溶解形成透明液，浓度为0.25 mol/L；然后按照Sb掺杂量的要求，把配制好的SbCl3溶液缓慢滴入已配制好的
陕西科技大学学报 2010年3期2010-02-23
- 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响
积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大。当Al/Ta面积比为零时，TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8 µΩ⋅cm和12 ppm/℃，当Al/Ta面积比增大到29%时，TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560 µΩ⋅cm和270 ppm/℃。Al掺杂; 磁控溅射; TaN薄膜; TCR随着微波技术的不断发展，微波电子系统及其部件逐渐向微型化、集成化、薄膜化以及高温度稳定性方向发展。由于微波集成电路中的电阻性功率匹配负载(功率
电子科技大学学报 2010年3期2010-02-08